一种用于压接型IGBT的绝缘框架结构

发明专利有效专利

申请号：
CN201910501701.6
IPC分类号：H01L25/07;H01L29/739
申请日期：
2019-06-11
申请人：
全球能源互联网研究院有限公司

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专利名称	一种用于压接型IGBT的绝缘框架结构
申请号	CN201910501701.6	申请日期	2019-06-11
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2019-11-05	公开/公告号	CN110416194A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L25/07 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L25/00 由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件（在一共用基片内或其上形成的由多个固态组件组成的器件入H01L 27/00；光伏电池的光伏模块或者阵列入H01L 31/042）〔5〕 H01L25/03 所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件〔5，8〕 H01L25/04 不具有单独容器的器件〔2014.01〕 H01L25/07 包含在H01L 29/00组类型的器件〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;5;/;0;7;;;H;0;1;L;2;9;/;7;3;9查看分类表>
申请人	全球能源互联网研究院有限公司	申请人地址	北京市昌平区未来科技城滨河大道18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	全球能源互联网研究院有限公司	当前权利人	全球能源互联网研究院有限公司
发明人	张雷;杨晓亮;杜玉杰;李金元;张西子;陈艳芳
代理机构	北京安博达知识产权代理有限公司	代理人	徐国文

摘要

本发明提供一种用于压接型IGBT的绝缘框架结构，其包括内凹槽、E极立柱、G极立柱、导向隔板和伞裙；导向隔板和伞裙分别位于内凹槽的下侧和外侧，E极立柱和G极立柱均竖直设置在内凹槽内部；伞裙包括至少两层依次排列的L型伞裙片。本发明提供的绝缘框架结构体积小，通用性和稳定性强，易加工，定位简单，可有效解决不同高电压等级下的绝缘配合问题，满足器件内部多芯片并联结构的固定定位要求。本发明采用改性塑料开模注塑成型，可实现批量加工，电气绝缘强度高，抗爬电，机械性能优良，灌胶口和排气孔有利于灌注硅凝胶并排除空气，降低气泡引起的局部放电和受热膨胀带来的不利影响。

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