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非易失性半导体存储装置及其制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200810144935.1
  • IPC分类号:H01L29/792;H01L29/51;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8247
  • 申请日期:
    2008-08-07
  • 申请人:
    株式会社瑞萨科技
著录项信息
专利名称非易失性半导体存储装置及其制造方法
申请号CN200810144935.1申请日期2008-08-07
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2009-03-18公开/公告号CN101388416
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/792
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;9;2;;;H;0;1;L;2;9;/;5;1;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;4;7查看分类表>
申请人株式会社瑞萨科技申请人地址
日本东京都 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人瑞萨电子株式会社当前权利人瑞萨电子株式会社
发明人滨村浩孝;柳至;峰利之
代理机构北京市金杜律师事务所代理人杨宏军
摘要
本发明提供一种非易失性半导体存储装置及其制造方法的技术,该技术能够通过抑制金属氧化膜和夹持其上下的绝缘膜的相互扩散,提高使用金属氧化膜作为电荷蓄积膜的非易失性存储单元的电荷保持特性。存储单元MC1具有的电荷保持用绝缘膜(4)由从半导体衬底(1)的沟道区域侧依次形成下部绝缘膜(4a)、由金属氧化膜构成的电荷蓄积膜(4c)、及上部绝缘膜(4e)得到的层合膜构成,通过对下部绝缘膜(4a)进行等离子体氮化处理,在下部绝缘膜(4a)中的上表面侧形成氮浓度为1原子%以上且具有峰值的氮化区域(4b),该氮化区域(4b)的厚度为0.5nm以上、1.5nm以下。

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