非易失性半导体存储装置及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200810144935.1
IPC分类号：H01L29/792;H01L29/51;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8247
申请日期：
2008-08-07
申请人：
株式会社瑞萨科技

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著录项信息

专利名称	非易失性半导体存储装置及其制造方法
申请号	CN200810144935.1	申请日期	2008-08-07
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2009-03-18	公开/公告号	CN101388416
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/792 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/66 按半导体器件的类型区分的〔2〕 H01L29/68 只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L 29/96优先）〔2〕 H01L29/76 单极器件〔2〕 H01L29/772 场效应晶体管〔6〕 H01L29/78 由绝缘栅产生场效应的〔2〕 H01L29/792 带有电荷捕获栅绝缘体，例如MNOS存储晶体管〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;7;9;2;;;H;0;1;L;2;9;/;5;1;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;4;7查看分类表>
申请人	株式会社瑞萨科技	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	瑞萨电子株式会社	当前权利人	瑞萨电子株式会社
发明人	滨村浩孝;柳至;峰利之
代理机构	北京市金杜律师事务所	代理人	杨宏军

摘要

本发明提供一种非易失性半导体存储装置及其制造方法的技术，该技术能够通过抑制金属氧化膜和夹持其上下的绝缘膜的相互扩散，提高使用金属氧化膜作为电荷蓄积膜的非易失性存储单元的电荷保持特性。存储单元MC1具有的电荷保持用绝缘膜(4)由从半导体衬底(1)的沟道区域侧依次形成下部绝缘膜(4a)、由金属氧化膜构成的电荷蓄积膜(4c)、及上部绝缘膜(4e)得到的层合膜构成，通过对下部绝缘膜(4a)进行等离子体氮化处理，在下部绝缘膜(4a)中的上表面侧形成氮浓度为1原子％以上且具有峰值的氮化区域(4b)，该氮化区域(4b)的厚度为0.5nm以上、1.5nm以下。

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