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一种ITO靶材的阴极座优化方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201410633574.2
  • IPC分类号:C23C14/35;C23C14/56
  • 申请日期:
    2014-11-12
  • 申请人:
    永州市新辉开科技有限公司
著录项信息
专利名称一种ITO靶材的阴极座优化方法
申请号CN201410633574.2申请日期2014-11-12
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-03-11公开/公告号CN104404460A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C14/35IPC分类号C;2;3;C;1;4;/;3;5;;;C;2;3;C;1;4;/;5;6查看分类表>
申请人永州市新辉开科技有限公司申请人地址
湖南省永州市冷水滩区凤凰园九嶷大道谷源路交汇处三栋101、201等2套 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人永州市新辉开科技有限公司当前权利人永州市新辉开科技有限公司
发明人陈建湘;陈新文;卢玮杰;薛仁奎
代理机构广东莞信律师事务所代理人吴炳贤
摘要
本发明公开一种ITO靶材的阴极座优化方法,包括以下步骤(1)、将若干套ITO靶材的阴极座装在连续式磁控溅射镀膜线上,每套ITO靶材的阴极座上设置三排磁铁,其中两排磁铁的个数为10片,中间一排磁铁的个数为9片;(2)、设置在阴极座两侧的两排磁铁与中间一排磁铁的距离均为75mm~85mm;(3)、调节ITO靶材的阴极座上的三排磁铁之间的间距,将阴极座两侧的两排磁铁之间的间距缩小为20mm~60mm。本发明对阴极座的磁铁排列进行优化,缩短三排磁铁间的距离20‑60mm,从而缩小磁力线的分布范围,达到缩小ITO靶材的尺寸节省ITO靶材的目的。

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