一种工业硅中杂质铁的去除方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010669323.5
IPC分类号：C01B33/037
申请日期：
2020-07-13
申请人：
昆明理工大学

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著录项信息

专利名称	一种工业硅中杂质铁的去除方法
申请号	CN202010669323.5	申请日期	2020-07-13
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-10-09	公开/公告号	CN111747415A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B33/037 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B33/00 硅；其化合物（C01B 21/00，C01B 23/00优先；过硅酸盐入 C01B 15/14；碳化物入C01B32/956）〔1，3，2006.01〕 C01B33/02 硅（形成单晶或有一定结构的均匀多晶材料入C30B）〔5〕 C01B33/037 纯化（用区域熔融入C30B 13/00）〔5〕	IPC分类号	C;0;1;B;3;3;/;0;3;7查看分类表>
申请人	昆明理工大学	申请人地址	云南省昆明市五华区学府路253号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	昆明理工大学	当前权利人	昆明理工大学
发明人	魏奎先;马文会;邓小聪;伍继君
代理机构	天津煜博知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	朱维

摘要

本发明涉及一种工业硅中杂质铁的去除方法，属于工业硅冶炼技术领域。本发明将工业硅熔体连续匀速加入到定向凝固连铸装置中，控制硅熔体的温度和流速、凝固速度以实现杂质铁的偏析富集，得到铁含量梯级分布的硅锭产品；对硅锭产品进行取样检测，确定Fe含量梯级分布的节点，并对硅锭进行分级处理得到不同铁质量含量的各级工业硅产品；以工业硅产品的总质量为100％计，微铁工业硅产品不低于60％、低铁工业硅产品不低于22％、中铁工业硅产品不高于10％、高铁工业硅产品不高于8％。本发明方法与现有的工业硅冶炼和炉外精炼过程相结合，将硅熔体直接进行高效除铁，可以将工业硅产品的等级提高2‑3个等级，具有生产成本低、技术适应性广、应用前景广阔等特点。

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