一种基于双负材料产生高功率辐射的实现方法

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专利名称	一种基于双负材料产生高功率辐射的实现方法
申请号	CN201210108030.5	申请日期	2012-04-13
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2012-08-01	公开/公告号	CN102623873A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S1/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S1/00 微波激射器，即利用受激发射对波长比红外射线长的电磁波进行产生、放大、调制、解调或变频的器件 H01S1/02 固体的	IPC分类号	H;0;1;S;1;/;0;2查看分类表>
申请人	电子科技大学	申请人地址	四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	电子科技大学	当前权利人	电子科技大学
发明人	段兆云;郭鑫;郭晨;宫玉彬;陈敏
代理机构	成都华典专利事务所（普通合伙）	代理人	徐丰;杨保刚

摘要

本发明公开了一种基于双负材料产生高功率辐射的实现方法，使电子注的电子以大于在双负材料中的电磁波相速的某一平均速度在靠近双负材料与真空的分界面处的真空区域中运动，从而产生相干的高功率辐射。此方法可适用于高功率、小型化太赫兹辐射源和切伦科夫粒子探测器和发射器。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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