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高动态范围图像传感器

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110569993.4
  • IPC分类号:H04N5/355;H04N5/335;H04N5/3745;H04N5/378;H04N5/225
  • 申请日期:
    2018-04-09
  • 申请人:
    豪威科技股份有限公司
著录项信息
专利名称高动态范围图像传感器
申请号CN202110569993.4申请日期2018-04-09
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-08-13公开/公告号CN113259607A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H04N5/355IPC分类号H;0;4;N;5;/;3;5;5;;;H;0;4;N;5;/;3;3;5;;;H;0;4;N;5;/;3;7;4;5;;;H;0;4;N;5;/;3;7;8;;;H;0;4;N;5;/;2;2;5查看分类表>
申请人豪威科技股份有限公司申请人地址
美国加利福尼亚州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人豪威科技股份有限公司当前权利人豪威科技股份有限公司
发明人真锅宗平;马渕圭司;后藤高行;毛杜立;海老原弘知;渡边一史
代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司代理人刘媛媛
摘要
本申请案涉及高动态范围图像传感器。用于高动态范围HDR图像传感器中的像素电路包含安置在第一半导体晶片中的光电二极管及浮动扩散部。转移晶体管安置在所述第一半导体晶片中且经调适以接通从而将所述光电二极管中光产生的电荷载子转移到所述浮动扩散部。像素内电容器安置在第二半导体晶片中。所述第一半导体晶片与所述第二半导体晶片堆叠且耦合到所述第二半导体晶片。双浮动扩散DFD晶体管安置在所述第一半导体晶片中。所述像素内电容器通过所述DFD晶体管选择性地耦合到所述浮动扩散部。所述浮动扩散部响应于所述像素内电容器耦合到所述浮动扩散部而设定为低转换增益,且响应于所述像素内电容器从所述浮动扩散部解耦而设定为高转换增益。

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