高密度LED光源结构

实用新型专利无效专利

申请号：
CN201620817608.8
IPC分类号：H01L33/48;H01L33/50;H01L33/60;H01L33/64
申请日期：
2016-07-29
申请人：
昆山锐峰晶体材料有限公司

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著录项信息

专利名称	高密度LED光源结构
申请号	CN201620817608.8	申请日期	2016-07-29
法律状态	放弃专利权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/48 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/48 以半导体封装体为特征的〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;4;8;;;H;0;1;L;3;3;/;5;0;;;H;0;1;L;3;3;/;6;0;;;H;0;1;L;3;3;/;6;4查看分类表>
申请人	昆山锐峰晶体材料有限公司	申请人地址	江苏省苏州市昆山市淀山湖镇威猛路15号2号房变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	昆山锐峰晶体材料有限公司	当前权利人	昆山锐峰晶体材料有限公司
发明人	曹顿华;梁月山;李抒智;董永军
代理机构	苏州华博知识产权代理有限公司	代理人	靳苗静

摘要

本实用新型公开了一种高密度LED光源结构，所述光源结构包括固态荧光转化材料基体和至少一个电路基板，所述固态荧光转化材料基体的至少一个端面为出光面，所述固态荧光转化材料基体上镀有与出光波长匹配的反射膜，且所述出光面上未镀有反射膜，所述电路基板设于所述固态荧光转化材料基体的至少一侧面上，所述电路基板上设有LED芯片阵列，所述LED芯片阵列与固态荧光转化材料基体的入光面的外形相匹配，并与其耦合连接。本实用新型中的高密度LED光源结构采用独特的空间立体范围进行光转换，在一个小面输出，单位面积出光量达2051流明/mm2，突破了单片LED的光密度限制，出光密度提高一个数量级。

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