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具有经改进架构的LDMOS装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200980108187.4
  • IPC分类号:H01L21/336;H01L29/78
  • 申请日期:
    2009-03-10
  • 申请人:
    飞兆半导体公司
著录项信息
专利名称具有经改进架构的LDMOS装置
申请号CN200980108187.4申请日期2009-03-10
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2011-01-26公开/公告号CN101960574A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/336IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8查看分类表>
申请人飞兆半导体公司申请人地址
美国亚利桑那州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人飞兆半导体公司当前权利人飞兆半导体公司
发明人蔡军
代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司代理人刘国伟
摘要
一种LDMOS装置包含:第一导电率类型的衬底;所述衬底上的外延层;所述外延层的下部分中的与所述第一导电率类型相反的第二导电率类型的掩埋阱,所述外延层在掩埋层下面为所述第一导电率类型。所述装置进一步包含位于漏极与栅极氧化物上的栅极及源极两者之间的场氧化物且具有在所述外延层中所述掩埋阱上面的所述第二导电率类型的鞍形垂直掺杂梯度,使得所述外延层中所述掩埋阱上面及所述场氧化物的中央部分下面的掺杂剂浓度低于所述场氧化物的最靠近所述漏极及最靠近所述栅极的边缘处的掺杂剂浓度。

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