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一种光电子器件的封装方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201110132479.0
  • IPC分类号:C08F283/01;H01L51/56;H01L51/48;H01L51/40;C08L63/00
  • 申请日期:
    2011-05-20
  • 申请人:
    电子科技大学
著录项信息
专利名称一种光电子器件的封装方法
申请号CN201110132479.0申请日期2011-05-20
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2011-10-12公开/公告号CN102214803A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C08F283/01IPC分类号C;0;8;F;2;8;3;/;0;1;;;H;0;1;L;5;1;/;5;6;;;H;0;1;L;5;1;/;4;8;;;H;0;1;L;5;1;/;4;0;;;C;0;8;L;6;3;/;0;0查看分类表>
申请人电子科技大学申请人地址
四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人电子科技大学当前权利人电子科技大学
发明人于军胜;赵娟;郎丰伟;蒋亚东
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明公开了一种光电子器件的封装方法,对所制备的器件采用薄膜封装方法进行封装,薄膜封装层包覆光电子器件,其特征在于,薄膜封装层由无机薄膜封装材料薄层和紫外敏感材料层交替重叠组成,所述紫外敏感材料为自由基型紫外光敏感剂和阳离子型紫外光敏感剂的混合体系,所述自由基型紫外光敏感体系包括以下成份基础树脂、单体、光引发剂以及光敏剂和助剂,所述阳离子型紫外光敏感体系包括以下成份环氧树脂或改性环氧树脂、稀释剂和阳离子光引发剂。该封装方法解决了光电子器件对水氧敏感的问题,有利于提高器件性能,延长器件寿命,同时简化工艺,降低成本。

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