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空气隙制作方法、空气隙和电子设备

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110523241.4
  • IPC分类号:H01L21/768;H01L23/532
  • 申请日期:
    2021-05-13
  • 申请人:
    中国科学院微电子研究所
著录项信息
专利名称空气隙制作方法、空气隙和电子设备
申请号CN202110523241.4申请日期2021-05-13
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-09-10公开/公告号CN113380698A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/768IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;1;L;2;3;/;5;3;2查看分类表>
申请人中国科学院微电子研究所申请人地址
北京市朝阳区北土城西路3号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院微电子研究所当前权利人中国科学院微电子研究所
发明人孙祥烈;许静;罗军;赵超
代理机构北京华沛德权律师事务所代理人房德权
摘要
本申请实施例提供了一种空气隙制作方法、空气隙和电子设备,其中,空气隙制作方法包括:在衬底层上形成第一介质层;在所述第一介质层上形成沟槽;在所述沟槽内填充导电材料,形成桥撑结构;基于所述桥撑结构,形成空气隙;其中,部分所述桥撑结构伸出所述沟槽外。本发明提供的空气隙的制作方法,通过在第一介质层上刻蚀沟槽,在沟槽内填充导体材料形成桥撑结构,可以通过控制导体材料填充的高度控制空气隙的大小,可以通过控制沟槽的形状控制空气隙的形状,同时无需对介质层进行二次刻蚀即可形成空气隙,能够提高介质层的机械强度。

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