一种不可见光发光二极管及其制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201610381153.4
IPC分类号：H01L33/02;H01L33/44;H01L33/30;H01L33/00
申请日期：
2016-06-01
申请人：
天津三安光电有限公司

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著录项信息

专利名称	一种不可见光发光二极管及其制作方法
申请号	CN201610381153.4	申请日期	2016-06-01
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-08-10	公开/公告号	CN105845793A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/02 以半导体为特征的〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;0;2;;;H;0;1;L;3;3;/;4;4;;;H;0;1;L;3;3;/;3;0;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人	天津三安光电有限公司	申请人地址	天津市西青区华苑产业区海泰南道20号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	天津三安光电有限公司	当前权利人	天津三安光电有限公司
发明人	吴超瑜;吴俊毅;黄俊凯;王笃祥
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种不可见光发光二极管及其制作方法，所述发光二极管包括：N型欧姆接触半导体层、N型电流扩散层、N‑GaAs可见光吸收层、N型覆盖层、发光层、P型覆盖层和P型欧姆接触半导体层。本发明所述不可见光发光二极管采用GaAs作为吸收层，在电流密度>1A/mm2情况下，可以完全有效的去除可见光部分，尤其是在3A/mm2电流密度以下都没看到可见光部分，有效解决了不可见光发光二极管的红爆现象。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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