高密度存储器结构

发明专利有效专利

申请号：
CN201410014016.8
IPC分类号：G11C7/12;G11C7/18
申请日期：
2014-01-13
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司

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著录项信息

专利名称	高密度存储器结构
申请号	CN201410014016.8	申请日期	2014-01-13
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-05-06	公开/公告号	CN104599700A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C7/12 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C7/00 数字存储器信息的写入或读出装置（G11C 5/00优先；用于采用半导体器件的存储器的辅助电路入G11C 11/4063，G11C 11/413，G11C 11/4193）〔2，5〕 G11C7/12 位线控制电路，例如，用于位线的驱动器、增强器、上拉电路、下拉电路、预充电电路、均衡电路〔7〕	IPC分类号	G;1;1;C;7;/;1;2;;;G;1;1;C;7;/;1;8查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	林洋绪;陆晓文;郑基廷;张琮永
代理机构	北京德恒律治知识产权代理有限公司	代理人	章社杲;孙征

摘要

半导体存储器包括多个子存储体，每个子存储体包括连接至局部位线组的一行或多行存储器位单元，其中，子存储体共享相同的全局位线组，以用于从子存储体的存储器位单元读取数据和/或将数据写入子存储体的存储器位单元。半导体存储芯片还包括用于每个子存储体的多个开关元件，其中，每个开关元件连接子存储体中的相应的一个存储器位单元的局部位线和全局位线，以用于在局部位线和全局位线之间进行数据传输。半导体存储芯片还包括多个存储体选择信号线，每个存储体选择信号线与相应的一个子存储体中的开关元件连接，其中，存储体选择信号线承载多个存储体选择信号以选择一个子存储体，从而用于在局部位线和全局位线之间进行数据传输。本发明还包括高密度存储器结构。

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