一种负磁导率超材料

发明专利无效专利

申请号：
CN201210051072.X
IPC分类号：H01Q15/00
申请日期：
2012-02-29
申请人：
深圳光启创新技术有限公司

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专利名称	一种负磁导率超材料
申请号	CN201210051072.X	申请日期	2012-02-29
法律状态	驳回	申报国家	暂无
公开/公告日	2012-07-18	公开/公告号	CN102593602A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01Q15/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01Q 天线（微波加热用辐射器或天线入H05B6/72） H01Q15/00 用于对天线辐射波进行反射、折射、绕射或极化的装置，例如准光学装置（用于改变方向性的可变装置入H01Q 3/00；用于引导电波的此种装置的构成入H01P 3/20；用于调制的可变装置入H03C 7/02）〔1，2006.01〕	IPC分类号	H;0;1;Q;1;5;/;0;0查看分类表>
申请人	深圳光启创新技术有限公司	申请人地址	广东省深圳市福田区香梅路1061号中投国际商务中心A栋18B 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	深圳光启创新技术有限公司	当前权利人	深圳光启创新技术有限公司
发明人	刘若鹏;赵治亚;郭洁;刘豫青
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明涉及一种负磁导率超材料，所述超材料包括介质基板以及固定在介质基板上的人造微结构，所述人造微结构为一条折线，所述折线为自一点向外等间距螺旋而成。在实现负磁导率的前提下，将超材料的谐振频率降到50MHz以下，因此可以在较低频段实现超材料的磁导率为负，同时，本发明超材料呈各向异性，对于超材料产业的发展具有重要意义，具有良好的发展前景。

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