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LTPS阵列基板的制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201610060805.4
  • IPC分类号:H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1333
  • 申请日期:
    2016-01-28
  • 申请人:
    武汉华星光电技术有限公司
著录项信息
专利名称LTPS阵列基板的制作方法
申请号CN201610060805.4申请日期2016-01-28
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-04-20公开/公告号CN105514123A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/12IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;1;2;;;H;0;1;L;2;1;/;7;7;;;G;0;2;F;1;/;1;3;3;3查看分类表>
申请人武汉华星光电技术有限公司申请人地址
湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人武汉华星光电技术有限公司当前权利人武汉华星光电技术有限公司
发明人陈辰
代理机构深圳市德力知识产权代理事务所代理人林才桂
摘要
本发明提供一种LTPS阵列基板的制作方法,将缓冲层与遮光层的相对位置互换,并且将遮光层的材料从常用的金属钼更换为保温性能良好的金属氧化物,从而提高了非晶硅层结晶时的结晶度,有利于提高TFT器件的电子迁移率;减少一次清洗制程与一道光刻制程,从而减少1道光罩的生产成本,并且减少LTPS阵列基板的制程时间,可节约成本,提升产能。

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