一种减小读操作电压抖动的电荷补偿电路及存储器结构

发明专利有效专利

申请号：
CN201910601072.4
IPC分类号：G11C16/30;G11C16/08;G11C16/26
申请日期：
2019-07-04
申请人：
合肥联诺科技有限公司

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著录项信息

专利名称	一种减小读操作电压抖动的电荷补偿电路及存储器结构
申请号	CN201910601072.4	申请日期	2019-07-04
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2019-10-01	公开/公告号	CN110299177A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C16/30 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C16/00 可擦除可编程序只读存储器（G11C 14/00优先）〔5〕 G11C16/02 电可编程序的〔5〕 G11C16/06 辅助电路，例如，用于写入存储器的（一般入G11C 7/00）〔5〕 G11C16/30 供电电路〔7〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;6;/;3;0;;;G;1;1;C;1;6;/;0;8;;;G;1;1;C;1;6;/;2;6查看分类表>
申请人	合肥联诺科技有限公司	申请人地址	安徽省合肥市高新区望江西路800号合肥创新产业园A3楼401室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	合肥联诺科技股份有限公司	当前权利人	合肥联诺科技股份有限公司
发明人	胡燕;黄纪业
代理机构	合肥律众知识产权代理有限公司	代理人	冯慧云

摘要

本发明公开了一种减小读操作电压抖动的电荷补偿电路及存储器结构，在原有存储器结构的行译码器和列译码器上各连接有电荷补偿电路，电荷补偿电路主要由前端连接WL_EN/BL_EN信号的补偿输出驱动与前端连接补偿输出驱动、后端连接读电压VPP的补偿电容构成，补偿输出驱动输出补偿电压，并对补偿电容进行充电，进而对读电压VPP进行补偿；芯片电源VDD为补偿输出驱动提供高压。本发明解决了负载电容造成VPP电压下降进而影响读操作正确率的问题；避免增加C0容置或增设片上电容，降低了芯片成本，相反地，可以通过减小C0容值，使得VPP的负载电容变小，电压恢复更快；同时，对电荷泵的输出能力要求也有所降低。

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