一种去除芯片表面硼硅玻璃的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201811066692.4
IPC分类号：H01L21/02;H01L21/311
申请日期：
2018-09-13
申请人：
安徽钜芯半导体科技有限公司

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专利名称	一种去除芯片表面硼硅玻璃的方法
申请号	CN201811066692.4	申请日期	2018-09-13
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2019-02-19	公开/公告号	CN109360784A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;3;1;1查看分类表>
申请人	安徽钜芯半导体科技有限公司	申请人地址	安徽省池州市经济技术开发区双龙路2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	安徽钜芯半导体科技有限公司	当前权利人	安徽钜芯半导体科技有限公司
发明人	曹孙根;王志忠;张俊超;芮正果
代理机构	北京众合诚成知识产权代理有限公司	代理人	赵娟

摘要

本发明提供一种去除芯片表面硼硅玻璃的方法，使用双极电解法去除芯片表面硼硅玻璃，电解液采用ZnSO4溶液，直流源阳极连接两根铝丝，直流源阴极连接一根铜棒，芯片P面朝上放置于电解液中，P面接触两根铝丝底部；电解反应结束后，将芯片取出浸入HF溶液浸泡10‑15分钟后，用清水冲洗干净。本发明采用双极电解工艺代替传统喷砂法，去除芯片表面的硼硅玻璃，减少了对晶片的损伤，降低了晶片应力，克服了晶格缺陷，改善了二极管电性能力；同时可以降低生产成本，可以提高生产产能。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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