依托磁路技术原理的强场约束配合物晶体生长装置

发明专利无效专利

申请号：
CN201210022736.X
IPC分类号：C30B30/04
申请日期：
2012-01-04
申请人：
宁波大学

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专利名称	依托磁路技术原理的强场约束配合物晶体生长装置
申请号	CN201210022736.X	申请日期	2012-01-04
法律状态	驳回	申报国家	暂无
公开/公告日	2012-08-08	公开/公告号	CN102628187A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B30/04 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B30/00 利用电场、磁场、波能或其他特定物理条件的作用为特征来制备单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔5〕 C30B30/04 用磁场的〔5〕	IPC分类号	C;3;0;B;3;0;/;0;4查看分类表>
申请人	宁波大学	申请人地址	浙江省宁波市江北区风华路818号宁波大学29号信箱变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	宁波大学	当前权利人	宁波大学
发明人	李榕生;俞国军;刘燕;孙杰;陈杰;周双双;孔祖萍;李文冰;张斌
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明涉及一种依托磁路技术原理的强场约束配合物晶体生长装置，属于配合物晶体培育领域。现有的依托强电流支撑的电磁铁强磁系统，由于电能高消耗以及冷却剂的高消耗，而无法实际投入耗时较长的对配合物晶体生长的强磁场干预实验，本案旨在解决该问题。本案利用两块永磁体作为磁源，依托磁路原理，将两块永磁体的磁力线聚束，在磁隙结构位置形成聚焦强磁场，并以该强磁场进行配合物晶体强磁场干预生长实验。本案装置回避了所述电磁铁强磁系统的电能的高消耗以及冷却剂的高消耗，本案装置能够让相关领域的研究人员在低成本、低消耗的前提下开展时间跨度较大的强磁场对配合物晶体生长干预的研究工作。

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