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多阈值MIS集成电路器件及其电路设计方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN02151422.4
  • IPC分类号:H01L27/118
  • 申请日期:
    2002-11-19
  • 申请人:
    富士通株式会社
著录项信息
专利名称多阈值MIS集成电路器件及其电路设计方法
申请号CN02151422.4申请日期2002-11-19
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2003-06-11公开/公告号CN1423420
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/118IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;1;1;8查看分类表>
申请人富士通株式会社申请人地址
日本神奈川县 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人株式会社索思未来当前权利人株式会社索思未来
发明人宫城觉
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所代理人李强
摘要
在芯片50A中,被布置的宏电路单元20A不包括虚拟电源线和高阈值电压的泄漏电流抑制MOS晶体管和高阈值电压的泄漏电流抑制MOS晶体管单元51。晶体管单元51具有一条与该单元的纵方向重合的门线51G,它沿着宏电路单元20A的矩形单元框架的一侧布置,及具有一个连至用于外部连接的VDD焊盘60和61的漏区域51D,一条连至I/O单元73的门线51G以及一个连至宏电路单元20A的VDD端点的源区域51S。此VDD端点用作一条虚拟电源线V_VDD的一个端点。

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