包含数字检测放大器的MRAM设备

1．用于检测在MRAM设备(8)中的存储单元(12)的阻抗状态 的电路(20)，该电路(20)包括：
积分电路(24)；以及
检测放大器(26)，连接到积分电路(24)和存储单元(12)， 用于测量积分电路(24)上电压(Vintg)达到参考电压(Vref)的时间， 并用于将测量到的时间与阈值进行比较；
如果该时间小于阈值，存储单元(12)处于第一阻抗状态；以及
如果该时间大于阈值，该存储单元处于第二阻抗状态。
2．权利要求1的电路，其中检测放大器(26)包括计数器(38) 用于保存计数值；以及时钟，用于使计数器(38)以时钟频率增加计 数值，直到积分电路上的电压(Vintg)等于参考电压(Vref)，计数器 (38)的最高有效位(MSB)显示存储单元(12)的是处于第一还是 第二阻抗状态。
3．权利要求2的电路，进一步包括预置寄存器(44)，用于保 存计数器(38)的内容及向计数器(38)赋值，该预置寄存器(44) 被集成在计数器(38)中。
4．权利要求3的电路，进一步包括控制器(46)，用于控制计 数器(38)和预置寄存器(44)执行非破坏性读，该控制器(46)使 计数器(38)通过使参考单元和参考电压向积分电路(24)充电来确 定阈值，并使计数器(38)测量积分电路(24)上的电压达到参考电 压的时间。
5．权利要求3的电路，进一步包含用于控制计数器(38)，预 置寄存器(44)及写电路(19)以执行破坏性读的控制器(46)，该 控制器(46)：
使存储单元(12)及参考电压给积分电路(24)充电至少一次；
使计数器(38)至少第一次测量积分电路(24)上的电压达到参 考电压的时间；
使写电路(19)至少写一个已知逻辑状态到存储单元(12)；
使存储单元(12)及参考电压给积分电路(24)充电；
使计数器(38)第二次测量积分电路(24)上的电压达到参考电 压的时间；
使预置寄存器(44)及计数器(38)比较第一次和第二次测到的 时间以确定阻抗，并因此确定存储单元(12)的逻辑状态；以及
如果需要，使写电路(19)回写存储单元(12)。
6．权利要求2的电路，其中计数器(38)包括：
一组寄存器(202)，每个寄存器包括一个T-型触发器(204)， 每个触发器(204)具有一个时钟输入和一个Q输出(206)，其中一 个寄存器(LSB)提供最低有效位，另一个寄存器(MSB)提供最高有 效位；
最低有效位(LSB)的触发器(204)的时钟输入被连接到时钟(40) 的输出，除最高有效位(MSB)外每个触发器(204)的Q输出(206) 被连接到下一个高位触发器的时钟输入；
最高有效位(MSB)的触发器(204)的Q输出(206)被连接到 一个I／O端口。
7．权利要求6的电路，其中每个寄存器(202)进一步包括连接 到其触发器(204)的锁存器(210)，每个锁存器(210)的输出(216) 提供相应触发器(204)的Q输出端(206)的补。
8．权利要求7的电路，其中每个寄存器(202)进一步包含用于 向其相应的触发器(204)输入预置值的电路(218)，每个电路(218) 具有输入pre-set_in(230)；并且其中电路(218)的输入pre-set_in (230)的最高有效位被连接到电源VDD，每个锁存器(210)的输出 被连接到下一个低位寄存器(202)的电路(218)的输入pre-set_in (230)，除了最低有效位。

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