蚀刻液、半导体封装器件及半导体封装器件的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201611246164.8
IPC分类号：C23F1/14;H01L21/3213
申请日期：
2016-12-29
申请人：
通富微电子股份有限公司

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著录项信息

专利名称	蚀刻液、半导体封装器件及半导体封装器件的制备方法
申请号	CN201611246164.8	申请日期	2016-12-29
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2017-05-31	公开/公告号	CN106757028A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23F1/14 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23F 非机械方法去除表面上的金属材料（电浸蚀法加工金属入B23H；火焰法清除表层金属材料入B23K 7/00；用激光束加工金属入B23K 26/00）；金属材料的缓蚀；一般防积垢（电解或电泳法处理金属表面或金属覆层入C25D，C25F）；至少一种在C23大类中所列的方法及至少一种在C21D、C22F小类或者C25大类中所列的方法之多步法金属材料表面处理〔4〕 C23F1/00 金属材料的化学法蚀刻〔2〕 C23F1/10 蚀刻用组合物（C23F 1/44优先）〔4〕 C23F1/14 含水组合物〔4〕	IPC分类号	C;2;3;F;1;/;1;4;;;H;0;1;L;2;1;/;3;2;1;3查看分类表>
申请人	通富微电子股份有限公司	申请人地址	江苏省南通市崇川路288号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	通富微电子股份有限公司	当前权利人	通富微电子股份有限公司
发明人	施建根
代理机构	深圳市威世博知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	钟子敏

摘要

本发明公开了一种蚀刻液、半导体封装器件及半导体封装器件的制备方法，所述蚀刻液包括0.5‑5质量份的颗粒，所述颗粒为实心结构，所述颗粒的粒径为1‑10nm；或者，所述颗粒为多孔结构，所述颗粒的所述多孔结构的孔径为1‑10nm；所述半导体封装器件包括金属再布线层，所述金属再布线层的表面通过所述的蚀刻液蚀刻处理。通过上述方式，本发明能够增加金属再布线层与其上方材料的结合力。

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