半导体装置的制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201780054916.7
IPC分类号：H01L23/12;G03F7/023;H01L21/56
申请日期：
2017-09-04
申请人：
住友电木株式会社

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著录项信息

专利名称	半导体装置的制造方法
申请号	CN201780054916.7	申请日期	2017-09-04
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2019-04-26	公开/公告号	CN109690759A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/12 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/12 安装架，例如不可拆卸的绝缘衬底〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;1;2;;;G;0;3;F;7;/;0;2;3;;;H;0;1;L;2;1;/;5;6查看分类表>
申请人	住友电木株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	住友电木株式会社	当前权利人	住友电木株式会社
发明人	田中裕马;冈明周作;釰持友规
代理机构	北京尚诚知识产权代理有限公司	代理人	龙淳;程采

摘要

一种半导体装置的制造方法，其包括：准备在表面具有连接端子(30)的多个半导体芯片(40)被埋入于封装材料(10)的内部而成的结构体的工序；在结构体中埋入有半导体芯片(40)的连接端子(30)的一侧的表面上的区域形成第1绝缘性树脂膜(60)的工序；在第1绝缘性树脂膜(60)和结构体形成使连接端子(30)的一部分露出的第1开口部(250)的工序；以覆盖露出的连接端子(30)和第1绝缘性树脂膜(60)的方式形成导电膜(110)的工序；和在导电膜(110)的表面形成第2绝缘性树脂膜(70)，在第2绝缘性树脂膜(70)形成使导电膜(110)的一部分露出的第2开口部(300)的工序。在形成第2开口部(300)的工序中，在第2绝缘性树脂膜(70)中形成于半导体芯片(40)上的区域的外部形成第2开口部(300)。并且，上述制造方法的特征在于，作为构成第1绝缘性树脂膜(60)的树脂材料，使用含有碱溶性树脂的感光性树脂组合物，并且对于由该感光性树脂组合物构成的液滴，通过悬滴法测得的该液滴的表面张力在20mN/m以上45mN/m以下。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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