基于氮化硅应力薄膜与尺度效应的AlN埋绝缘层上晶圆级单轴应变SiGe的制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201610445983.9
IPC分类号：H01L21/762;H01L21/02;H01L21/324
申请日期：
2016-06-20
申请人：
西安电子科技大学

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专利名称	基于氮化硅应力薄膜与尺度效应的AlN埋绝缘层上晶圆级单轴应变SiGe的制作方法
申请号	CN201610445983.9	申请日期	2016-06-20
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-09-14	公开/公告号	CN105938810A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/762 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/70 由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K 3/00，H05K 13/00）〔2〕 H01L21/71 限定在组H01L 21/70中的器件的特殊部件的制造（H01L 21/28，H01L 21/44，H01L 21/48优先）〔6〕 H01L21/76 组件间隔离区的制作〔2〕 H01L21/762 介电区〔6〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;7;6;2;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;3;2;4查看分类表>
申请人	西安电子科技大学	申请人地址	陕西省西安市太白南路2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安电子科技大学	当前权利人	西安电子科技大学
发明人	戴显英;梁彬;郝跃;盛喆;苗东铭;焦帅;祁林林
代理机构	陕西电子工业专利中心	代理人	王品华

摘要

本发明公开了一种基于氮化硅应力薄膜与尺度效应的AlN埋绝缘层上晶圆级单轴应变SiGe的制作方法，其实现步骤为对绝缘层上硅锗SGOI晶圆进行清洗，并进行He离子注入；在离子注入后的SGOI晶圆顶层SiGe层上淀积‑1.1GPa以上的压应力SiN薄膜或1.1GPa以上的张应力SiN薄膜，并刻蚀SiN薄膜成条形阵列；对带有SiN薄膜阵列的SGOI晶圆进行退火；腐蚀去除SGOI晶圆表面上的SiN薄膜阵列，得到晶圆级单轴应变SGOI材料。本发明利用AlN埋绝缘层在条形SiN薄膜阵列作用下的单轴拉伸或单轴压缩塑性形变在顶层Ge层引入应变，可制作用于高温、大功耗、高功率、抗辐射集成电路所需的SGOI晶圆。

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