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包含金属纳米结构的可靠且持久的导电膜

发明专利无效专利

申请号：
CN201080027436.X
IPC分类号：H01B1/02;H05K3/32;C09D5/24;H01B1/22
申请日期：
2010-05-04
申请人：
凯博瑞奥斯技术公司

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权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	包含金属纳米结构的可靠且持久的导电膜
申请号	CN201080027436.X	申请日期	2010-05-04
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日	2012-05-16	公开/公告号	CN102460600A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01B1/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01B 电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择（磁性材料的选择入H01F 1/00；波导管入H01P） H01B1/00 按导电材料特性区分的导体或导电物体；用作导体的材料选择（按材料特性区分的超导或高导导体、电缆或传输线入H01B 12/00）〔4〕 H01B1/02 主要由金属或合金组成的	IPC分类号	H;0;1;B;1;/;0;2;;;H;0;5;K;3;/;3;2;;;C;0;9;D;5;/;2;4;;;H;0;1;B;1;/;2;2查看分类表>
申请人	凯博瑞奥斯技术公司	申请人地址	维尔京群岛托尔托拉岛变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	英属维尔京群岛商天材创新材料科技股份有限公司	当前权利人	英属维尔京群岛商天材创新材料科技股份有限公司
发明人	皮埃尔-马克·阿莱曼德;弗络瑞恩·普舍尼茨卡;特里萨·拉莫斯;加莱那·塞帕
代理机构	北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司	代理人	王达佐;阴亮

摘要

描述了由导电纳米结构构成的可靠且持久的导电膜。在长时间且强烈的光暴露后，导电膜显示基本不变的薄膜电阻。

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