一种具有高抗辐照能力的四结太阳电池结构及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201811628885.4
IPC分类号：H01L31/0687;H01L31/0693;H01L31/054;H01L31/18
申请日期：
2018-12-28
申请人：
中国电子科技集团公司第十八研究所

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专利名称	一种具有高抗辐照能力的四结太阳电池结构及其制备方法
申请号	CN201811628885.4	申请日期	2018-12-28
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2019-06-21	公开/公告号	CN109920874A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/0687 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L 51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L 27/00）〔2，6，8〕 H01L31/04 用作光伏〔PV〕转换器件（制造中其测试入H01L21/66；制造之后其测试入H02S50/10）的〔2，2014.01〕 H01L31/06 以至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的为特征的〔2，2012.01〕 H01L31/068 只是PN单质结型势垒的，例如体硅PN单质结太阳能电池或薄膜多晶硅PN单质结太阳能电池〔5，2012.01〕 H01L31/0687 多结或叠层太阳能电池〔2012.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;0;6;8;7;;;H;0;1;L;3;1;/;0;6;9;3;;;H;0;1;L;3;1;/;0;5;4;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人	中国电子科技集团公司第十八研究所	申请人地址	天津市滨海新区滨海高新技术产业开发区华科七路6号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国电子科技集团公司第十八研究所	当前权利人	中国电子科技集团公司第十八研究所
发明人	薛超;高鹏;姚立勇;姜明序;张无迪;刘丽蕊;王宇
代理机构	北京国昊天诚知识产权代理有限公司	代理人	刘昕

摘要

本发明涉及一种具有高抗辐照能力的四结太阳电池结构及其制备方法，结构包括依次设置的金属薄膜衬底、高反射率金属层、介质层、薄型四结外延层；方法包括采用金属有机化学气相沉积技术制备薄型四结外延层；在外延片表面制备全方位反射器，采用等离子体增强化学气相沉积技术生长介质层，在介质层上腐蚀出周期性的微孔，在外延片表面蒸镀上高反射率的金属材料；采用电镀技术在全方位反射器表面制备金属薄膜衬底；通过化学腐蚀分别去掉砷化镓衬底和GaInP腐蚀停止层。本发明的有益效果：四个子电池的厚度大幅度减薄，大幅度降低了带电粒子辐射对四结电池的损失，减少了缺陷密度，提高了四结电池的抗辐照能力，从而促进四结电池在航天领域的应用。

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