电压供应电路和半导体存储器

发明专利有效专利

申请号：
CN200510115475.6
IPC分类号：G11C11/4074;G11C11/413
申请日期：
2005-11-04
申请人：
富士通株式会社

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法律信息

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著录项信息

专利名称	电压供应电路和半导体存储器
申请号	CN200510115475.6	申请日期	2005-11-04
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2007-01-03	公开/公告号	CN1889188
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C11/4074 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C11/00 以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件（G11C 14/00至G11C 21/00优先）〔5〕 G11C11/21 应用电元件的〔2〕 G11C11/34 应用半导体器件的〔2〕 G11C11/40 应用晶体管的〔2〕 G11C11/401 形成需要刷新或电荷再生的单元的，即，动态单元的〔5〕 G11C11/4063 辅助电路，例如，用于寻址、译码、驱动、写、读出或定时的〔7〕 G11C11/407 用于场效应型存储单元的〔5〕 G11C11/4074 电源或电压发生电路，例如，偏置电压发生器、衬底片电压发生器、后备电源、电源控制电路〔7〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;1;/;4;0;7;4;;;G;1;1;C;1;1;/;4;1;3查看分类表>
申请人	富士通株式会社	申请人地址	日本神奈川县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	日本东京都,株式会社索思未来	当前权利人	日本东京都,株式会社索思未来
发明人	竹内淳
代理机构	北京东方亿思知识产权代理有限责任公司	代理人	赵淑萍

摘要

第一和第二差分放大器中的每一个都具有响应于驱动能力控制信号的激活而增大偏置电流的功能。第一驱动电路响应于第一差分放大器的输出信号的激活而将输出节点连接到高电源线，并响应于第二差分放大器的输出信号的激活而将输出节点连接到低电源线。只有在驱动能力控制信号的激活周期期间，第二驱动电路才响应于第一差分放大器的输出信号的激活而将输出节点连接到高电源线，并响应于第二差分放大器的输出信号的激活而将输出节点连接到低电源线。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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