一种定向凝固法准单晶硅生长炉

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201320753560.5
IPC分类号：C30B11/00;C30B29/06
申请日期：
2013-11-26
申请人：
江苏大学

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著录项信息

专利名称	一种定向凝固法准单晶硅生长炉
申请号	CN201320753560.5	申请日期	2013-11-26
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B11/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B11/00 正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长，例如晶体生长坩埚下降法Bridgman-Stockbarger法（C30B 13/00，C30B 15/00，C30B 17/00，C30B 19/00优先；保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;1;1;/;0;0;;;C;3;0;B;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人	江苏大学	申请人地址	江苏省镇江市京口区学府路301号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	江苏大学	当前权利人	江苏大学
发明人	苏文佳;左然
代理机构	南京知识律师事务所	代理人	汪旭东

摘要

本实用新型提供一种定向凝固法准单晶硅生长炉，包括石英坩埚、石墨坩埚、DS块和氩气冷却进口管，石英坩埚内底部开若干籽晶凹槽，在DS块上开氩气冷却孔和氩气流道，该流道最终使氩气沿DS块的四周流入炉体，底部氩气冷却进口管构成底部氩气强制冷却系统。使用该系统时，针对熔料、生长和收尾的不同阶段，控制底部氩气冷却进口管的氩气流量，从而控制籽晶的熔接、固液界面保持水平并略凸以及晶体硅和熔体硅的轴向温度梯度。与现有准单晶生长方法中籽晶铺满石英坩埚底部相比，籽晶用量大大减少，节约成本，准单晶硅的单晶率可达95%以上，大大提高了太阳光伏电池的效率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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