一种新型的V型馈线谐振的缺陷地结构天线

实用新型专利无效专利

申请号：
CN201521020817.1
IPC分类号：H01Q1/38;H01Q1/52;H01Q1/48
申请日期：
2015-12-10
申请人：
哈尔滨黑石科技有限公司

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著录项信息

专利名称	一种新型的V型馈线谐振的缺陷地结构天线
申请号	CN201521020817.1	申请日期	2015-12-10
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01Q1/38 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01Q 天线（微波加热用辐射器或天线入H05B6/72） H01Q1/00 天线零部件或与天线结合的装置（改变方向图形的指向性的装置入H01Q3/00）〔1，2006.01〕 H01Q1/36 辐射单元的结构形式，例如锥形、螺旋形、伞形（H01Q 1/08，H01Q 1/14优先） H01Q1/38 在绝缘支架上由导电层构成的	IPC分类号	H;0;1;Q;1;/;3;8;;;H;0;1;Q;1;/;5;2;;;H;0;1;Q;1;/;4;8查看分类表>
申请人	哈尔滨黑石科技有限公司	申请人地址	黑龙江省哈尔滨市南岗区南通大街258号船舶电子大世界1607-11室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	哈尔滨黑石科技有限公司	当前权利人	哈尔滨黑石科技有限公司
发明人	刘文奇;郝术苗;耿一方
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本实用新型公开了一种新型的V型馈线谐振的缺陷地结构天线，其组成包括：介质基板(1)，辐射单元(2)，在辐射单元上弓字形结构槽(3)，微带传输线(4)回型缺陷地结构(5)，接地面(6)V型馈线谐振单元(7)。所述的辐射单元、微带传输线、印刷在介质基板上表面；所述的辐射单元位于介质基板的中部；回型缺陷地结构位于微带传输线两侧；回型缺陷地结构刻蚀在接地板上；弓字形结构槽开在辐射单元上；V型馈线结构刻蚀在微带传输线上。

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