加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

CVD设备以及使用所述CVD设备清洗所述CVD设备的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN03801403.3
  • IPC分类号:H01L21/205;H01L21/31;C23C16/44
  • 申请日期:
    2003-03-19
  • 申请人:
    财团法人地球环境产业技术研究机构;独立行政法人产业技术总合研究所
著录项信息
专利名称CVD设备以及使用所述CVD设备清洗所述CVD设备的方法
申请号CN03801403.3申请日期2003-03-19
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2005-02-09公开/公告号CN1579010
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/205IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;2;0;5;;;H;0;1;L;2;1;/;3;1;;;C;2;3;C;1;6;/;4;4查看分类表>
申请人财团法人地球环境产业技术研究机构;独立行政法人产业技术总合研究所申请人地址
日本东京 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人日商佳能安内华股份有限公司,株式会社爱发科,索尼株式会社,东京毅力科创株式会社,松下电器产业株式会社,株式会社国际电气当前权利人日商佳能安内华股份有限公司,株式会社爱发科,索尼株式会社,东京毅力科创株式会社,松下电器产业株式会社,株式会社国际电气
发明人坂井克夫;大仓诚司;坂村正二;安部薰;村田等;和仁悦夫;龟田贤治;三井有规;大平丰;米村泰辅;関屋章
代理机构上海专利商标事务所有限公司代理人朱黎明
摘要
本发明的目的是提供一种CVD设备中的清洗方法,它能够有效地除去副产物如SiO2或Si3N4,所述副产物在成膜过程中粘附并沉积在反应室中的内壁、电极等的表面,以及废气通道等管道的侧壁,其中排放的清洗气数量非常少,减小了对环境的影响如全球变暖,降低了成本。所述CVD能向反应室提供反应气,并在反应室中的基底材料表面上形成沉积薄膜,在所述CVD设备中,通过泵从反应室内部排出气体的废气通道安装有废气循环通道,以将所述废气从泵的下游侧循环到所述废气通道上游侧,而且,等离子体生成装置安装在所述废气循环通道上。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供