一种低温低成本高纯碳化硅超细微粒的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201610371738.8
IPC分类号：C01B32/956
申请日期：
2016-05-31
申请人：
上海纳晶科技有限公司

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专利名称	一种低温低成本高纯碳化硅超细微粒的制备方法
申请号	CN201610371738.8	申请日期	2016-05-31
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2016-10-26	公开/公告号	CN106044774A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B32/956 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B31/36 （转入C01B 32/956-C01B 32/991） C01B32/90 碳化物〔2017.01〕 C01B32/914 单一元素碳化物〔2017.01〕 C01B32/956 碳化硅〔2017.01〕	IPC分类号	C;0;1;B;3;2;/;9;5;6查看分类表>
申请人	上海纳晶科技有限公司	申请人地址	上海市普陀区中山北路3663号理科大楼A605 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海纳晶科技有限公司	当前权利人	上海纳晶科技有限公司
发明人	张哲娟;孙卓
代理机构	北京连城创新知识产权代理有限公司	代理人	刘伍堂

摘要

本发明涉及半导体和太阳能硅材料技术领域，具体地说是一种低温低成本高纯碳化硅超细微粒的制备方法，选取切割废料，通过抽真空，通入氩气，保压升温，通入混合气体，第二次保压升温，预处理，第三次保压升温，保温抽真空，保压降温的手段，制备碳化硅粉体。本发明同现有技术相比，采用传统工艺烧结制备高纯碳化硅时，需要收集后进行二次煅烧和提纯,尺寸不均匀、一致性较差，且成本较高。本发明为一步法实现全碳化的制备工艺，无需烧结后的分选、提纯和二次回烧处理。本发明不需要除水过程，还可借助水合硅微粒或含水超细高纯硅微粒的疏松结构优势，实现低温碳化工艺处理，大幅提高现有技术制备碳化硅微粒的效率和质量。

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