一种半导体中电子自旋有效寿命的连续单光束测试方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201110109338.7
IPC分类号：G01N21/63
申请日期：
2011-04-28
申请人：
中山大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种半导体中电子自旋有效寿命的连续单光束测试方法
申请号	CN201110109338.7	申请日期	2011-04-28
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2011-12-21	公开/公告号	CN102288584A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N21/63 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N21/00 利用光学手段，即利用红外光、可见光；或紫外光来测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 19/00优先） G01N21/62 所测试的材料在其中被激发，因之引起材料发光或入射光的波长发生变化的系统〔3〕 G01N21/63 光学激发的〔3〕	IPC分类号	G;0;1;N;2;1;/;6;3查看分类表>
申请人	中山大学	申请人地址	广东省广州市新港西路135号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中山大学	当前权利人	中山大学
发明人	赖天树;黄晓婷;李佳明
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

一种半导体中电子自旋有效寿命的连续单光束测试方法，使用连续单激光束、偏振片、1/2和1/4波片、偏振分束棱镜、衰减片、平衡光探测器和可变磁场，组成附图所示实验测量光路。连续单激光束既激发半导体中电子自旋极化，又测试自旋极化感应的法拉第效应和圆二色吸收效应。实验装置简单，造价低廉。实验上测试法拉第转角或圆二色吸收随磁场强度的变化曲线，并用发展的理论模型拟合此变化曲线，就能获得电子自旋的有效寿命。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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