复合铁氧体超宽带环行器

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201922104523.1
IPC分类号：H01P1/387
申请日期：
2019-11-29
申请人：
苏州华博电子科技有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	复合铁氧体超宽带环行器
申请号	CN201922104523.1	申请日期	2019-11-29
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01P1/387 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01P 波导；谐振器、传输线或其他波导型器件（工作在光频的入G02B） H01P1/00 辅助器件（波导型耦合器件入H01P 5/00） H01P1/32 非互易的传输器件（H01P 1/02至H01P 1/30优先）〔3〕 H01P1/38 环行器〔2，3〕 H01P1/383 结环行器，例如Y环行器〔3〕 H01P1/387 带状线环行器〔3〕	IPC分类号	H;0;1;P;1;/;3;8;7查看分类表>
申请人	苏州华博电子科技有限公司	申请人地址	江苏省苏州市张家港国泰北路1号张家港经济开发区创业园E栋华博电子变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	苏州华博电子科技有限公司	当前权利人	苏州华博电子科技有限公司
发明人	王列松;朱小明;陈洋;陈宇飞
代理机构	南京天华专利代理有限责任公司	代理人	夏平

摘要

本实用新型公开了一种制造简便、稳定性强的复合铁氧体超宽带环行器，包括高磁导率金属片、高饱和磁化强度铁氧体、三个低饱和磁化强度铁氧体、以及三个与其相连接的匹配电路介质，高饱和磁化强度铁氧体设置在高磁导率金属片中部，所有相连接的低饱和磁化强度铁氧体及匹配电路介质绕高饱和磁化强度铁氧体周向布置，高饱和磁化强度铁氧体、低饱和磁化强度铁氧体、匹配电路介质上设有微带电路或带线电路，高饱和磁化强度铁氧体上远离高磁导率金属片的一侧设有外偏置稳恒磁场源，高饱和磁化强度铁氧体上设有三个平直切割边，且互成120°；低饱和磁化强度铁氧体设有两个平直切割边；匹配电路介质设有一个平直切割边。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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