长晶炉

发明专利有效专利

申请号：
CN202110024156.3
IPC分类号：C30B29/06;C30B15/20
申请日期：
2021-01-08
申请人：
上海新昇半导体科技有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	长晶炉
申请号	CN202110024156.3	申请日期	2021-01-08
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-06-01	公开/公告号	CN112877776A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/06 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/02 元素〔3〕 C30B29/06 硅〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;0;6;;;C;3;0;B;1;5;/;2;0查看分类表>
申请人	上海新昇半导体科技有限公司	申请人地址	上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区云水路1000号1-4幢、6-19幢变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海新昇半导体科技有限公司	当前权利人	上海新昇半导体科技有限公司
发明人	邓先亮
代理机构	上海光华专利事务所（普通合伙）	代理人	余明伟

摘要

本发明提供一种长晶炉，长晶炉包括水冷套、水冷屏、水冷套流量控制装置、水冷屏流量控制装置及升降位置控制装置；本发明通过水冷套流量控制装置、水冷屏流量控制装置及升降位置控制装置，可实现对晶体冷却过程的精确控制，可有效控制晶体的冷却速度，精确调节晶体的温度分布，以增大热场的灵活性，在不改变热场的情况下，即可生产不同产品，极大的降低了生产及研发成本，且可在不同的长晶阶段进行流量和位置的控制，以实现整个晶棒的质量均匀性，提高晶体的整体利用率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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