一种LIBS基体效应校正方法及其应用

发明专利有效专利

申请号：
CN201911267390.8
IPC分类号：G01N21/71
申请日期：
2019-12-11
申请人：
华中科技大学

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著录项信息

专利名称	一种LIBS基体效应校正方法及其应用
申请号	CN201911267390.8	申请日期	2019-12-11
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2020-04-10	公开/公告号	CN110987903A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N21/71 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N21/00 利用光学手段，即利用红外光、可见光；或紫外光来测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 19/00优先） G01N21/62 所测试的材料在其中被激发，因之引起材料发光或入射光的波长发生变化的系统〔3〕 G01N21/71 热激发的〔3〕	IPC分类号	G;0;1;N;2;1;/;7;1查看分类表>
申请人	华中科技大学	申请人地址	湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华中科技大学	当前权利人	华中科技大学
发明人	郭连波;张登;褚燕武;马世祥;张思屿;胡桢麟;陈锋
代理机构	华中科技大学专利中心	代理人	尹丽媛;李智

摘要

本发明属于LIBS光谱法检测材料组成领域，公开了一种LIBS基体效应校正方法及其应用，校正包括：采集待校正每个样品种类中任一样品在多个激光能量激发下的全波段光谱和等离子体图像；基于每个样品种类对应的全波段光谱和等离子体图像，通过图像处理得到该样品种类对应的图像亮度和等离子体温度的关系及等离子体面积和烧蚀质量的关系；采集每个样品种类中每个样品在待校正激光能量激发下的等离子体图像和待校正波段光谱，基于该等离子体图像和该样品种类对应的上述关系校正该样品的光谱强度；基于各校正后的光谱及其对应元素含量拟合待校正激光能量下的定标曲线，完成基体效应校正。本发明基体效应校正操作简单，可靠性高，可有效应用于实际工业场景。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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