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等离子体CVD装置、等离子体CVD方法、反应性溅射装置和反应性溅射方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201280016136.0
  • IPC分类号:C23C16/455;C23C14/34
  • 申请日期:
    2012-02-14
  • 申请人:
    东丽株式会社
著录项信息
专利名称等离子体CVD装置、等离子体CVD方法、反应性溅射装置和反应性溅射方法
申请号CN201280016136.0申请日期2012-02-14
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2013-12-18公开/公告号CN103459661A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C16/455IPC分类号C;2;3;C;1;6;/;4;5;5;;;C;2;3;C;1;4;/;3;4查看分类表>
申请人东丽株式会社申请人地址
日本东京都 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人东丽株式会社当前权利人东丽株式会社
发明人江尻广惠;坂本桂太郎;野村文保;植田征典
代理机构北京市金杜律师事务所代理人杨宏军
摘要
本发明提供一种等离子体CVD装置,是在真空容器内具备主辊和等离子体产生电极,在将长条基材沿着上述主辊的表面输送的同时,在上述长条基材的表面形成薄膜的真空成膜装置,其中,以包围由上述主辊和上述等离子体产生电极夹着的成膜空间的方式,隔着上述成膜空间地在上述长条基材的输送方向的上游侧和下游侧,各设置至少一个沿上述长条基材的宽度方向延伸的侧壁,上述侧壁与上述等离子体产生电极电绝缘,在上述长条基材的输送方向的上游侧和下游侧中的任一侧的侧壁上,具备1列以上的沿上述长条基材的宽度方向呈一列排列的多个气体供给孔所形成的气体供给孔列。

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