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纳米级微结构的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201310209010.1
  • IPC分类号:H01L21/033
  • 申请日期:
    2013-05-30
  • 申请人:
    清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
著录项信息
专利名称纳米级微结构的制备方法
申请号CN201310209010.1申请日期2013-05-30
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2014-12-17公开/公告号CN104217928A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/033IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;0;3;3查看分类表>
申请人清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司申请人地址
北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人清华大学,鸿富锦精密工业(深圳)有限公司当前权利人清华大学,鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
发明人刘军库;任梦昕;张立辉;陈墨;李群庆;范守善
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明涉及一种纳米级微结构的制备方法,其包括以下步骤:提供一绝缘基底,在所述绝缘基底的一表面形成一导电层,所述导电层包括一石墨烯膜;在所述导电层上形成一掩模预制层;采用电子束曝光对所述掩模预制层进行图案化处理,形成一图形化的掩模层,所述图形化的掩模层包括多个凹部和多个凸部,位于凹部位置处的所述导电层暴露出来;通过干法刻蚀去除位于所述多个凹部位置处的所述导电层,暴露出所述绝缘基底的部分表面;形成一预制层至少覆盖所述暴露出来的绝缘基底表面;以及,去除所述掩模层以及所述导电层,在所述绝缘基底的表面形成纳米级微结构。

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