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包含半导体纳米晶体的复合物和其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201680083691.3
IPC分类号：C09K11/02
申请日期：
2016-03-30
申请人：
陶氏环球技术有限责任公司;罗门哈斯电子材料有限责任公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	包含半导体纳米晶体的复合物和其制备方法
申请号	CN201680083691.3	申请日期	2016-03-30
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2018-11-09	公开/公告号	CN108779391A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C09K11/02 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C09 染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用 C09K 不包含在其他类目中的各种应用材料；不包含在其他类目中的材料的各种应用 C09K11/00 发光材料，例如电致发光材料、化学发光材料〔2〕 C09K11/02 以特殊材料作为黏合剂，用于粒子涂层或作悬浮介质〔2〕	IPC分类号	C;0;9;K;1;1;/;0;2查看分类表>
申请人	陶氏环球技术有限责任公司;罗门哈斯电子材料有限责任公司	申请人地址	美国密歇根州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	陶氏环球技术有限责任公司,罗门哈斯电子材料有限责任公司	当前权利人	陶氏环球技术有限责任公司,罗门哈斯电子材料有限责任公司
发明人	吕博;王秀艳;黄焱;任小凡;J·朱;朱平
代理机构	北京泛华伟业知识产权代理有限公司	代理人	徐舒

摘要

一种在不显著降低半导体纳米晶体的量子产率的情况下制备半导体纳米晶体‑硅酸盐复合物的方法，由所述方法制备的复合物和包含所述复合物的膜和电子装置。

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