晶圆的测试方法、测试装置以及晶圆测试系统

发明专利有效专利

申请号：
CN202211029504.7
IPC分类号：H01L21/66;G01R31/26;G01N21/41
申请日期：
2022-08-26
申请人：
合肥新晶集成电路有限公司

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著录项信息

专利名称	晶圆的测试方法、测试装置以及晶圆测试系统
申请号	CN202211029504.7	申请日期	2022-08-26
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2022-09-23	公开/公告号	CN115101437A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/66 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/66 在制造或处理过程中的测试或测量〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;6;;;G;0;1;R;3;1;/;2;6;;;G;0;1;N;2;1;/;4;1查看分类表>
申请人	合肥新晶集成电路有限公司	申请人地址	安徽省合肥市新站区综合保税区内西淝河路88号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	合肥新晶集成电路有限公司	当前权利人	合肥新晶集成电路有限公司
发明人	李维泽;李泽育;黄绍铭;冉薇
代理机构	北京康信知识产权代理有限责任公司	代理人	霍文娟

摘要

本申请提供了一种晶圆的测试方法、测试装置以及晶圆测试系统，该方法包括获取目标折射率，目标折射率为待测晶圆的多晶硅薄膜的折射率，待测晶圆包括控片以及覆盖控片的多晶硅薄膜；至少根据目标折射率以及数据信息，确定待测晶圆的电性数据，其中，数据信息包括多个历史折射率以及对应的历史电性数据，历史折射率为历史多晶硅薄膜的折射率，历史电性数据为包括历史多晶硅薄膜的历史晶圆的电性数据。本申请实现了根据多晶硅薄膜的光学数据确定其电性数据的效果，避免了晶圆流片后再对晶圆进行WAT测试，来确定晶圆多晶硅薄膜的质量，造成多晶硅薄膜质量监控滞后的问题，避免了多晶硅薄膜异常无法及时发现并处理，造成大量不良品的问题。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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