一种气相掺杂区熔硅单晶的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201811476667.3
IPC分类号：C30B13/12;C30B29/06
申请日期：
2018-12-04
申请人：
有研半导体材料有限公司

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专利名称	一种气相掺杂区熔硅单晶的制备方法
申请号	CN201811476667.3	申请日期	2018-12-04
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2020-06-12	公开/公告号	CN111270300A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B13/12 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B13/00 区域熔融法单晶生长；区域熔融法精炼（C30B 17/00优先；改变所处理固体之横截面的入C30B 15/00；在保护流体下的入C30B 27/00；具有一定结构的均匀多晶材料的生长入C30B 28/00；特定材料的区域精炼，见该材料的相应小类）〔3，5〕 C30B13/08 熔融区中添加结晶化材料或添加在反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的〔3〕 C30B13/10 同时添加掺杂材料的〔3〕 C30B13/12 以气态或气化态的〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;1;3;/;1;2;;;C;3;0;B;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人	有研半导体材料有限公司	申请人地址	北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	有研半导体硅材料股份公司	当前权利人	有研半导体硅材料股份公司
发明人	王永涛;尚锐刚;刘建涛;李明飞;鲁进军;张建;闫志瑞
代理机构	北京北新智诚知识产权代理有限公司	代理人	刘秀青

摘要

本发明公开了一种气相掺杂区熔硅单晶的制备方法，包括以下步骤：(1)将一次多晶按正常的区熔拉晶工艺拉制成单晶或多晶；(2)将拉制成的单晶或多晶再次磨锥、刻槽、清洗、干燥；(3)将处理后的单晶或多晶装炉，并按目标电阻率设置掺杂流量，并按正常气相掺杂区熔拉晶工艺完成单晶拉制。根据本发明制备气相掺杂区熔硅单晶的方法，通过第一次的拉制，将硅芯内的杂质尽可能均匀的分布在拉制成的整个单晶或多晶内，而不是局限在硅芯内，从而降低因硅芯杂质搅拌不均匀造成的气相掺杂区熔硅单晶中心电阻率的波动，有效降低了单晶轴向及径向的电阻率不均匀性，提高了气相掺杂区熔单晶的目标电阻率命中率及稳定性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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