测定蚀刻深度及形成屏蔽栅极沟槽及MOSFET晶圆

发明专利有效专利

申请号：
CN200810086659.8
IPC分类号：--
申请日期：
2008-03-21
申请人：
万国半导体股份有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	测定蚀刻深度及形成屏蔽栅极沟槽及MOSFET晶圆
申请号	CN200810086659.8	申请日期	2008-03-21
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2008-09-24	公开/公告号	CN101271856
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	万国半导体股份有限公司	申请人地址	重庆市北碚区水土高新技术产业园云汉大道5号附407 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	重庆万国半导体科技有限公司	当前权利人	重庆万国半导体科技有限公司
发明人	李铁生;王宇;楼盈盈;安荷·叭剌
代理机构	上海新天专利代理有限公司	代理人	王敏杰

摘要

本发明公开了一种测定蚀刻深度的方法，一种形成屏蔽栅极沟槽(SGT)结构的方法和一种半导体装置晶圆。在具有沟槽的底层的一部分上形成材料层。用材料填充所述的沟槽。在材料层的测试区域上放置抗蚀性涂层，从而定义位于抗蚀性涂层之下的测试结构。抗蚀性涂层不覆盖沟槽。同向蚀刻材料，测量与测试结构电阻改变有关的信号。通过信号测定测试结构的横向底切DL，通过DL测定蚀刻深度DT。晶圆包括形成电桥的一个或多个测试结构。穿过连接洞的一个或多个金属连接线电连接所述的测试结构。所述的抗蚀性涂层在测试结构之上。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供