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侧墙结构、侧墙结构的制备方法、CMOS器件

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201410217721.8
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L21/336
  • 申请日期:
    2014-05-20
  • 申请人:
    上海华力微电子有限公司
著录项信息
专利名称侧墙结构、侧墙结构的制备方法、CMOS器件
申请号CN201410217721.8申请日期2014-05-20
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2014-08-06公开/公告号CN103972293A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人上海华力微电子有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华力微电子有限公司当前权利人上海华力微电子有限公司
发明人黄然;周飞;徐炯
代理机构上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)代理人吴世华;林彦之
摘要
本发明提出了一种侧墙结构及其制备方法,以及具有此侧墙结构的CMOS器件,通过改进现有的第二侧墙结构,将原有的ON结构的第二侧墙改为ONO结构的第二侧墙,使其中的氮化层的厚度减小;同时,在氮化层上再沉积一层氧化层,是为了确保原有的源/漏离子注入区域不变,从而形成堆叠的ONO结构;经热处理工艺后,由于减薄的氮化层对有源区的应力明显降低,从而减小了其对有源区造成的位错缺陷,减少了元件漏电现象,提高了器件的良率。

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