放射源定位方法、装置及系统

1.一种放射源定位方法，其特征在于，包括：
步骤S1、根据模拟数据获取探测器的晶体阵列中晶体计数比与放射源角度的关系；
步骤S2、测量待测放射源放射射线时所述晶体阵列的实测晶体计数；
步骤S3、在计数噪声的变化范围内，根据所述实测晶体计数以及各所述计数噪声获取多个去噪晶体计数比，根据所述晶体计数比与放射源角度的关系获取与各所述去噪晶体计数比相对应的各实测放射源角度，并选取所述计数噪声最优时的实测放射源角度为所述待测放射源的放射源角度；其中，
所述晶体阵列为2×2晶体阵列，所述步骤S1包括：
步骤S11、在所述2×2晶体阵列中任选一块晶体作为参照晶体；
步骤S12、将所述参照晶体及与其相邻的一块晶体组合为第一晶体组，将所述参照晶体及与其相邻的另一块晶体组合为第二晶体组；
步骤S13、利用模拟软件测量所述第一晶体组的第一晶体计数比AB和所述第二晶体组的第二晶体计数比BC，其中，AB＝(A+B)/(A+B+C+D)，BC＝(B+C)/(A+B+C+D)，A、B、C和D依次为所述2×2晶体阵列中四块晶体的晶体计数；
步骤S14、分别获取所述第一晶体计数比AB与所述放射源角度θ的离散关系以及所述第二晶体计数比BC与所述放射源角度θ的离散关系；
步骤S15、将所述离散关系拟合为线性关系。
2.根据权利要求1所述的放射源定位方法，其特征在于，所述待测放射源放射射线时，所述2×2晶体阵列中四块晶体的实测晶体计数依次为A’、B’、C’和D’，所述计数噪声的变化范围为Nmin至Nmax，所述步骤S3包括：
步骤S31、将所述计数噪声N设置为Nmin；
步骤S32、根据AB’＝(A’+B’-2×N)/(A’+B’+C’+D’-4×N)获取第一去噪晶体计数比，根据BC’＝(B’+C’-2×N)/(A’+B’+C’+D’-4×N)获取第二去噪晶体计数比；
步骤S33、根据所述线性关系获取AB’对应的放射源角度θ1和BC’对应的放射源角度θ2；
步骤S34、所述计数噪声N自加1；
步骤S35、比较|θ1-θ2|和 的大小, 和 为预设参数，若
则设置参数 否则，参数 和 不变；
步骤S36、判断所述计数噪声N是否大于Nmax，若是，则执行步骤S37，否则，执行步骤S32；
步骤S37、根据 获取所述待测放射源的放射源角度。
3.根据权利要求1或2所述的放射源定位方法，其特征在于，所述线性关系为θ＝(AB-y1)/x1，θ＝(BC-y2)/x2，其中，x1、x2、y1和y2为直线拟合参数。
4.一种放射源定位装置，其特征在于，包括：
处理模块，用于根据模拟数据获取探测器的晶体阵列中晶体计数比与放射源角度的关系；
测量模块，用于测量待测放射源放射射线时所述晶体阵列的实测晶体计数；
计算模块，用于在计数噪声的变化范围内，根据各所述计数噪声以及所述测量模块测量得到的所述实测晶体计数获取多个去噪晶体计数比，根据所述处理模块获取的所述晶体计数比与放射源角度的关系获取与各所述去噪晶体计数比相对应的各实测放射源角度，并选取所述计数噪声最优时的实测放射源角度为所述待测放射源的放射源角度；其中，所述晶体阵列为2×2晶体阵列，所述处理模块包括：
选择子模块，用于在所述2×2晶体阵列中任选一块晶体作为参照晶体，将所述参照晶体及与其相邻的一块晶体组合为第一晶体组，将所述参照晶体及与其相邻的另一块晶体组合为第二晶体组；
测量子模块，用于利用模拟软件测量所述第一晶体组的第一晶体计数比AB和所述第二晶体组的第二晶体计数比BC，其中，AB＝(A+B)/(A+B+C+D)，BC＝(B+C)/(A+B+C+D)，A、B、C和D依次为所述2×2晶体阵列中四块晶体的晶体计数；
第一处理子模块，用于分别获取所述第一晶体计数比AB与所述放射源角度θ的离散关系以及所述第二晶体计数比BC与所述放射源角度θ的离散关系；
拟合子模块，用于将所述第一处理子模块获取到的所述离散关系拟合为线性关系。
5.根据权利要求4所述的放射源定位装置，其特征在于，所述待测放射源放射射线时，所述2×2晶体阵列中四块晶体的实测晶体计数依次为A’、B’、C’和D’，所述计数噪声的变化范围为Nmin至Nmax，所述计算模块包括：
设置子模块，用于将所述计数噪声N设置为Nmin；
第一计算子模块，用于根据AB’＝(A’+B’-2×N)/(A’+B’+C’+D’-4×N)获取第一去噪晶体计数比，根据BC’＝(B’+C’-2×N)/(A’+B’+C’+D’-4×N)获取第二去噪晶体计数比；
第二处理子模块，用于根据所述拟合子模块拟合的所述线性关系获取AB’对应的放射源角度θ1和BC’对应的放射源角度θ2；
自加子模块，用于将所述计数噪声N自加1；
比较子模块，用于比较|θ1-θ2|和 的大小, 和 为预设参数，若
则设置参数 否则，参数 和 不变；
判断子模块，用于判断所述自加子模块得出的所述计数噪声N是否大于Nmax；
第二计算子模块，用于当所述计数噪声N大于Nmax时，根据 获取所述
待测放射源的放射源角度。
6.根据权利要求4或5所述的放射源定位装置，其特征在于，所述拟合子模块拟合的所述线性关系为θ＝(AB-y1)/x1，θ＝(BC-y2)/x2，其中，x1、x2、y1和y2为直线拟合参数。
7.一种放射源定位系统，其特征在于，包括：如权利要求4-6中任一所述的放射源定位装置、待测放射源和探测器。
8.根据权利要求7所述的放射源定位系统，其特征在于，所述待测放射源为伽马射线放射源。

放射源定位方法、装置及系统\n技术领域\n[0001] 本发明涉及放射源探测技术，特别涉及一种放射源定位方法、装置及系统。\n背景技术\n[0002] 放射源探测可广泛应用于各种放射性环境，如实验室、核电厂、核燃料厂、大型重离子加速器、放射源库等。用于探测伽马射线的探测器多种多样，目前较先进的技术是利用伽马射线中的粒子能够被碘化铯（CsI）或锗酸铋（BGO）等晶体吸收的原理，采用四块晶体组成2×2晶体阵列，对同一放射源进行探测并计数，根据各块晶体的计数值来反推出放射源的角度，以确定放射源的方位。\n[0003] 但是，当放射源的位置与晶体阵列不在同一平面上时，计算出的放射源角度不够准确，使得定位准确度低；同时，由于晶体计数值随角度的变化不明显，使得现有的放射源定位方法灵敏度不高，分辨能力偏低。\n发明内容\n[0004] 在下文中给出关于本发明的简要概述，以便提供关于本发明的某些方面的基本理解。应当理解，这个概述并不是关于本发明的穷举性概述。它并不是意图确定本发明的关键或重要部分，也不是意图限定本发明的范围。其目的仅仅是以简化的形式给出某些概念，以此作为稍后论述的更详细描述的前序。\n[0005] 本发明提供一种放射源定位方法、装置及系统，用以解决现有技术中放射源定位准确度低及灵敏度低的缺陷，实现高灵敏度、高准确度的放射源定位。\n[0006] 本发明提供了一种放射源定位方法，包括：\n[0007] 步骤S1、根据理拟数据获取探测器的晶体阵列中晶体计数比与放射源角度的关系；\n[0008] 步骤S2、测量待测放射源放射射线时所述晶体阵列的实测晶体计数；\n[0009] 步骤S3、在计数噪声的变化范围内，根据所述实测晶体计数以及各所述计数噪声获取多个去噪晶体计数比，根据所述晶体计数比与放射源角度的关系获取与各所述去噪晶体计数比相对应的各实测放射源角度，并选取所述计数噪声最优时的实测放射源角度为所述待测放射源的放射源角度。\n[0010] 本发明还提供了一种放射源定位装置，包括：\n[0011] 处理模块，用于根据模拟数据获取探测器的晶体阵列中晶体计数比与放射源角度的关系；\n[0012] 测量模块，用于测量待测放射源放射射线时所述晶体阵列的实测晶体计数；\n[0013] 计算模块，用于在计数噪声的变化范围内，根据各所述计数噪声以及所述测量模块测量得到的所述实测晶体计数获取多个去噪晶体计数比，根据所述处理模块获取的所述晶体计数比与放射源角度的关系获取与各所述去噪晶体计数比相对应的各实测放射源角度，并选取所述计数噪声最优时的实测放射源角度为所述待测放射源的放射源角度。\n[0014] 本发明还提供了一种放射源定位系统，包括：上述放射源定位装置、待测放射源和探测器。\n[0015] 本发明提供的放射源定位方法、装置及系统，采用晶体计数比作为计算参数，使参数随放射源角度的变化明显，采用有效的扣除噪声技术，对于放射源不在晶体阵列平面上的情况，能够有效提高参数中与放射源角度有关的变化因子，避免了现有技术的缺陷，提高了放射源定位的灵敏度和准确度。\n附图说明\n[0016] 为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。\n[0017] 图1为本发明放射源定位方法第一实施例的流程图；\n[0018] 图2为本发明放射源定位方法第二实施例的流程图；\n[0019] 图3为本发明实施例采用的2×2晶体阵列的示意图；\n[0020] 图4为本发明实施例放射源角度与晶体计数比的关系图；\n[0021] 图5为本发明放射源定位装置第一实施例的结构示意图；\n[0022] 图6为本发明放射源定位装置第二实施例的结构示意图；\n[0023] 图7为本发明放射源定位系统实施例的系统框图。\n具体实施方式\n[0024] 为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。在本发明的一个附图或一种实施方式中描述的元素和特征可以与一个或更多个其它附图或实施方式中示出的元素和特征相结合。应当注意，为了清楚的目的，附图和说明中省略了与本发明无关的、本领域普通技术人员已知的部件和处理的表示和描述。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。\n[0025] 图1为本发明放射源定位方法第一实施例的流程图。如图1所示，本发明实施例提供了一种放射源定位方法，包括：\n[0026] 步骤S10、根据模拟数据获取探测器的晶体阵列中晶体计数比与放射源角度的关系，其中，晶体计数比为晶体阵列中相邻两块晶体的计数和与晶体阵列的计数和之比；\n[0027] 步骤S20、测量待测放射源放射射线时晶体阵列的实测晶体计数，其中，实测晶体计数即为晶体阵列实际测量得到的晶体计数；\n[0028] 步骤S30、在计数噪声的变化范围内，根据实测晶体计数以及各计数噪声获取多个去噪晶体计数比，根据晶体计数比与放射源角度的关系获取与各去噪晶体计数比相对应的各实测放射源角度，并选取计数噪声最优时的实测放射源角度为待测放射源的放射源角度，其中，去噪晶体计数比为利用去噪后的晶体计数计算出的晶体计数比。\n[0029] 在本发明实施例中，首先根据模拟数据获取晶体计数比与放射源角度的关系，该模拟数据是通过模拟软件模拟放射源与晶体阵列置于同一平面上的情况而获得，由此获得的关系中计数噪声可视为零。然后，针对某待测环境，利用上述探测器的晶体阵列测量实测晶体计数。当待测放射源与晶体阵列不在同一平面上时，所有晶体上的计数均将高于在同一平面上的计数，这个计数的增加（即为，计数噪声）使得晶体计数比偏离上述晶体计数比与放射源角度的关系。因此，可以根据具体实测数据确定计数噪声的变化范围。对实测晶体计数进行去噪处理，得到去噪晶体计数比，并获取与其对应的实测放射源角度。最后，在计数噪声的变化范围内，选取计数噪声最优时的实测放射源角度，作为待测放射源的放射源角度。\n[0030] 本发明实施例提供的放射源定位方法，采用晶体计数比作为计算参数，使参数随放射源角度的变化明显，采用有效的扣除噪声技术，对于放射源不在晶体阵列平面上的情况，能够有效提高参数中与放射源角度有关的变化因子，避免了现有技术的缺陷，提高了放射源定位的灵敏度和准确度。\n[0031] 图2为本发明放射源定位方法第二实施例的流程图。如图2所示，在上述方法第一实施例的基础上，上述晶体阵列可以为2×2晶体阵列，上述步骤S10可以进一步具体包括：\n[0032] 步骤S101、在2×2晶体阵列中任选一块晶体作为参照晶体；\n[0033] 步骤S102、将参照晶体及与其相邻的一块晶体组合为第一晶体组，将参照晶体及与其相邻的另一块晶体组合为第二晶体组；\n[0034] 步骤S103、利用模拟软件测量第一晶体组的第一晶体计数比AB和第二晶体组的第二晶体计数比BC，其中，AB=（A+B）/（A+B+C+D），BC=（B+C）/（A+B+C+D），A、B、C和D依次为该2×\n2晶体阵列中四块晶体的晶体计数；\n[0035] 步骤S104、分别获取第一晶体计数比AB与放射源角度θ的离散关系以及第二晶体计数比BC与放射源角度θ的离散关系；\n[0036] 步骤S105、将上述离散关系拟合为线性关系。\n[0037] 图3为本发明实施例采用的2×2晶体阵列的示意图。如图3所示，a、b、c和d为2×2晶体阵列中的四块晶体。假如，选晶体b为参照晶体，将晶体a与晶体b组合为第一晶体组合，将晶体b和晶体c组合为第二晶体组合。A、B、C和D依次为晶体a、b、c和d的计数，利用模拟软件测量第一晶体计数比AB和第二晶体计数比BC。分别获取AB与θ的离散关系以及BC与θ的离散关系。图4为本发明实施例放射源角度与晶体计数比的关系图。如图4所示，AB与θ的关系可以分为两个部分：θ∈（-90°，90°）与θ∈（90°，270°），在两个区间内，AB与θ关系均接近线性关系。同样，BC在θ∈（0°，180°）与θ∈（180°，360°）两个区间内也是接近线性关系。因此，对其进行拟合，得到线性关系θ=（AB-y1）/x1，θ=（BC-y2）/x2，其中，x1、x2、y1和y2为直线拟合参数。\n[0038] 本发明实施例在探测器工作时，可以通过测量直接计算出AB和BC，因此可以通过上述公式计算出θ，计算极其简单，同时从图4中可以看出，晶体计数比与放射源角度的变化明显，因此定位灵敏度很高。\n[0039] 更进一步地，待测放射源放射射线时，晶体a、b、c和d的实测晶体计数可以依次计为A’、B’、C’和D’，计数噪声N的变化范围可以设为Nmin至Nmax。一般Nmin可以设为0，Nmax可以设为A’、B’、C’和D’中最小值的60%。上述步骤S30可以具体包括：\n[0040] 步骤S301、将计数噪声N设置为Nmin；\n[0041] 步骤S302、根据AB’=（A’+B’-2×N）/（A’+B’+C’+D’-4×N）获取第一去噪晶体计数比，根据BC’=（B’+C’-2×N）/（A’+B’+C’+D’-4×N）获取第二去噪晶体计数比；\n[0042] 步骤S303、根据线性关系获取AB’对应的放射源角度θ1和BC’对应的放射源角度θ\n2；\n[0043] 步骤S304、计数噪声N自加1；\n[0044] 步骤S305、比较|θ1-θ2|和 的大小, 和 为预设参数，若\n则设置参数 否则，参数 和 不变；\n[0045] 步骤S306、判断计数噪声N是否大于Nmax，若是，则执行步骤S307，否则，执行步骤S302；\n[0046] 步骤S307、根据 获取待测放射源的放射源角度。\n[0047] 当待测放射源与晶体阵列不在同一平面上时，所有晶体上的计数均将高于在同一平面上的计数，这个计数的增加（即为，计数噪声）使得晶体计数比AB和BC偏离图4中所示的线性曲线。本发明实施例中，假设晶体a、b、c和d上的计数噪声均为N，则得到去噪后的晶体计数比：\n[0048] AB’=（A’-N+B’-N）/（A’-N+B’-N+C’-N+D’-N）\n[0049] =（A’+B’-2×N）/（A’+B’+C’+D’-4×N），\n[0050] BC’=（B’-N+C’-N）/（A’-N+B’-N+C’-N+D’-N）\n[0051] =（B’+C’-2×N）/（A’+B’+C’+D’-4×N）。\n[0052] 根据实际情况由于对应同一放射源，角度应该是相同的。因此，计数噪声的确定方法为，在一定范围内连续改变噪声大小，使得通过曲线AB与曲线BC计算出的角度最接近，此时的计数噪声，即为最接近真实的最优计数噪声。此时计算出的角度即为最接近真实的放射源实际角度。\n[0053] 本发明实施例中的待测放射源可以为伽马射线放射源。\n[0054] 本发明实施例提供的放射源定位方法，采用晶体计数比作为计算参数，使参数随放射源角度的变化明显，采用有效的扣除噪声技术，对于放射源不在晶体阵列平面上的情况，有效地去除无益的计数噪声，能够有效提高参数中与放射源角度有关的变化因子，避免了现有技术的缺陷，提高了放射源定位的灵敏度和准确度。\n[0055] 图5为本发明放射源定位装置第一实施例的结构示意图。如图5所示，本发明实施例提供了一种放射源定位装置，包括：处理模块51、测量模块52和计算模块53。其中，处理模块51用于根据模拟数据获取探测器的晶体阵列中晶体计数比与放射源角度的关系；测量模块52用于测量待测放射源放射射线时晶体阵列的实测晶体计数；计算模块53用于在计数噪声的变化范围内，根据各计数噪声以及测量模块52测量得到的实测晶体计数获取多个去噪晶体计数比，根据处理模块51获取的晶体计数比与放射源角度的关系获取与各去噪晶体计数比相对应的各实测放射源角度，并选取计数噪声最优时的实测放射源角度为待测放射源的放射源角度。\n[0056] 在本发明实施例中，首先处理模块51根据模拟数据获取晶体计数比与放射源角度的关系，其中，晶体计数比为晶体阵列中相邻两块晶体的计数和与晶体阵列的计数和之比。\n该模拟数据是通过模拟软件模拟放射源与晶体阵列置于同一平面上的情况而获得，由此获得的晶体计数比与放射源角度的关系中计数噪声可视为零。然后，针对某待测环境，测量模块52利用上述探测器的晶体阵列测量实测晶体计数。当待测放射源与晶体阵列不在同一平面上时，所有晶体上的计数均将高于在同一平面上的计数，这个计数的增加（即为，计数噪声）使得晶体计数比偏离上述线性关系。因此，计算模块53可以根据具体实测数据确定计数噪声的变化范围。对实测晶体计数进行去噪处理，得到去噪晶体计数比，并获取与其对应的实测放射源角度。最后，在计数噪声的变化范围内，选取计数噪声最优时的实测放射源角度，作为待测放射源的放射源角度。\n[0057] 本发明实施例提供的放射源定位装置，采用晶体计数比作为计算参数，使参数随放射源角度的变化明显，采用有效的扣除噪声技术，对于放射源不在晶体阵列平面上的情况，能够有效提高参数中与放射源角度有关的变化因子，避免了现有技术的缺陷，提高了放射源定位的灵敏度和准确度。\n[0058] 图6为本发明放射源定位装置第二实施例的结构示意图。如图6所示，在上述装置第一实施例的基础上，上述晶体阵列可以为2×2晶体阵列，上述处理模块51可以进一步包括：选择子模块61、测量子模块62、第一处理子模块63和拟合子模块64。其中，选择子模块61用于在2×2晶体阵列中任选一块晶体作为参照晶体，将参照晶体及与其相邻的一块晶体组合为第一晶体组，将参照晶体及与其相邻的另一块晶体组合为第二晶体组；测量子模块62用于利用模拟软件测量第一晶体组的第一晶体计数比AB和第二晶体组的第二晶体计数比BC，其中，AB=（A+B）/（A+B+C+D），BC=（B+C）/（A+B+C+D），A、B、C和D依次为该2×2晶体阵列中四块晶体的晶体计数；第一处理子模块63用于分别获取第一晶体计数比AB与放射源角度θ的离散关系以及第二晶体计数比BC与放射源角度θ的离散关系；拟合子模块64用于将上述第一处理子模块63获取到的离散关系拟合为线性关系。\n[0059] 在图3中，a、b、c和d为2×2晶体阵列中的四块晶体。假如，选择子模块61选晶体b为参照晶体，将晶体a与晶体b组合为第一晶体组合，将晶体b和晶体c组合为第二晶体组合。A、B、C和D依次为晶体a、b、c和d的计数，测量子模块62利用模拟软件测量第一晶体计数比AB和第二晶体计数比BC。第一处理子模块63分别获取AB与θ的离散关系以及BC与θ的离散关系。\n如图4所示，AB与θ的关系可以分为两个部分：θ∈（-90°，90°）与θ∈（90°，270°），在两个区间内，AB与θ关系均接近线性关系。同样，BC在θ∈（0°，180°）与θ∈（180°，360°）两个区间内也是接近线性关系。因此，拟合子模块64对其进行拟合，得到线性关系θ=（AB-y1）/x1，θ=（BC-y2）/x2，其中，x1、x2、y1和y2为直线拟合参数。\n[0060] 本发明实施例在探测器工作时，可以通过测量直接计算出AB和BC，因此可以通过上述公式计算出θ，计算极其简单，同时从图4中可以看出，晶体计数比与放射源角度的变化明显，因此定位灵敏度很高。\n[0061] 更进一步地，待测放射源放射射线时，晶体a、b、c和d的实测晶体计数可以依次计为A’、B’、C’和D’，计数噪声N的变化范围可以设为Nmin至Nmax。一般Nmin可以设为0，Nmax可以设为A’、B’、C’和D’中最小值的60%。\n[0062] 上述计算模块53可以具体包括：设置子模块65、第一计算子模块66、第二处理子模块67、自加子模块68、比较子模块69、判断子模块71和第二计算子模块72。其中，设置子模块\n65用于将计数噪声N设置为Nmin；第一计算子模块66用于根据AB’=（A’+B’-2×N）/（A’+B’+C’+D’-4×N）获取第一去噪晶体计数比，根据BC’=（B’+C’-2×N）/（A’+B’+C’+D’-4×N）获取第二去噪晶体计数比；第二处理子模块67用于根据拟合子模块64拟合的线性关系获取AB’对应的放射源角度θ1和BC’对应的放射源角度θ2；自加子模块68用于将计数噪声N自加1；比较子模块69用于比较|θ1-θ2|和 的大小, 和 为预设参数，若\n则设置参数 否则，参数 和 不变；判断子模块71用于判断自加\n子模块68得出的计数噪声N是否大于Nmax；第二计算子模块72用于当计数噪声N大于Nmax时，根据 获取待测放射源的放射源角度。\n[0063] 当待测放射源与晶体阵列不在同一平面上时，所有晶体上的计数将均高于在同一平面上的计数，这个计数的增加（即为，计数噪声）使得晶体计数比AB和BC偏离图4中所示的线性曲线。本发明实施例中，假设晶体a、b、c和d上的计数噪声均为N，则得到去噪后的晶体计数比：\n[0064] AB’=（A’-N+B’-N）/（A’-N+B’-N+C’-N+D’-N）\n[0065] =（A’+B’-2×N）/（A’+B’+C’+D’-4×N），\n[0066] BC’=（B’-N+C’-N）/（A’-N+B’-N+C’-N+D’-N）\n[0067] =（B’+C’-2×N）/（A’+B’+C’+D’-4×N）。\n[0068] 根据实际情况由于对应同一放射源，角度应该是相同的。因此，在一定范围内连续改变噪声大小，使得通过曲线AB与曲线BC计算出的角度最接近，此时的计数噪声，即为最接近真实的最优计数噪声。此时计算出的角度即为最接近真实的放射源实际角度。\n[0069] 本发明实施例中的待测放射源可以为伽马射线放射源。\n[0070] 本发明实施例提供的放射源定位装置，采用晶体计数比作为计算参数，使参数随放射源角度的变化明显，采用有效的扣除噪声技术，对于放射源不在晶体阵列平面上的情况，有效地去除无益的计数噪声，能够有效提高参数中与放射源角度有关的变化因子，避免了现有技术的缺陷，提高了放射源定位的灵敏度和准确度。\n[0071] 图7为本发明放射源定位系统实施例的系统框图。如图7所示，本发明实施例提供一种放射源地位系统，包括：放射源定位装置73、待测放射源74和探测器75。放射源定位装置73根据模拟数据获取探测器75中晶体计数比与放射源角度的关系，然后根据该关系计算待测放射源74的放射源角度。\n[0072] 本系统实施例中放射源定位装置73的功能如上述图5和图6所示装置实施例中的具体描述，在此不再赘述。\n[0073] 本发明实施例中的待测放射源74可以为伽马射线放射源。\n[0074] 本发明实施例提供的放射源定位系统，采用晶体计数比作为计算参数，使参数随放射源角度的变化明显，采用有效的扣除噪声技术，对于放射源不在晶体阵列平面上的情况，有效地去除无益的计数噪声，能够有效提高参数中与放射源角度有关的变化因子，避免了现有技术的缺陷，提高了放射源定位的灵敏度和准确度。\n[0075] 在本发明上述各实施例中，实施例的序号仅仅便于描述，不代表实施例的优劣。对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。\n[0076] 本领域普通技术人员可以理解：实现上述方法实施例的全部或部分步骤可以通过程序指令相关的硬件来完成，前述的程序可以存储于一计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，执行包括上述方法实施例的步骤；而前述的存储介质包括：只读存储器（Read-Only Memory，简称ROM）、随机存取存储器（Random Access Memory，简称RAM）、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。\n[0077] 在本发明的装置和方法等实施例中，显然，各部件或各步骤是可以分解、组合和/或分解后重新组合的。这些分解和/或重新组合应视为本发明的等效方案。同时，在上面对本发明具体实施例的描述中，针对一种实施方式描述和/或示出的特征可以以相同或类似的方式在一个或更多个其它实施方式中使用，与其它实施方式中的特征相组合，或替代其它实施方式中的特征。\n[0078] 应该强调，术语“包括/包含”在本文使用时指特征、要素、步骤或组件的存在，但并不排除一个或更多个其它特征、要素、步骤或组件的存在或附加。\n[0079] 最后应说明的是：虽然以上已经详细说明了本发明及其优点，但是应当理解在不超出由所附的权利要求所限定的本发明的精神和范围的情况下可以进行各种改变、替代和变换。而且，本发明的范围不仅限于说明书所描述的过程、设备、手段、方法和步骤的具体实施例。本领域内的普通技术人员从本发明的公开内容将容易理解，根据本发明可以使用执行与在此所述的相应实施例基本相同的功能或者获得与其基本相同的结果的、现有和将来要被开发的过程、设备、手段、方法或者步骤。因此，所附的权利要求旨在在它们的范围内包括这样的过程、设备、手段、方法或者步骤。