准备重启用于制造外延晶片的反应器的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201680044210.8
IPC分类号：H01L21/02;H01L21/66;H01L21/324;H01L21/20
申请日期：
2016-07-26
申请人：
爱思开矽得荣株式会社

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著录项信息

专利名称	准备重启用于制造外延晶片的反应器的方法
申请号	CN201680044210.8	申请日期	2016-07-26
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-03-27	公开/公告号	CN107851553A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;6;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;2;4;;;H;0;1;L;2;1;/;2;0查看分类表>
申请人	爱思开矽得荣株式会社	申请人地址	韩国庆尚北道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	爱思开矽得荣株式会社	当前权利人	爱思开矽得荣株式会社
发明人	姜东昊;赵万起
代理机构	北京派特恩知识产权代理有限公司	代理人	李雪;姚开丽

摘要

实施方式涉及一种用于准备重启外延反应器的方法，以执行晶片的外延生长。该方法包括以下步骤：将氮气引入设置在所述外延反应器内的处理室中并吹扫该气体一定时间；根据时间非线性地升高所述处理室内部的温度；以及在生长外延晶片之后测量外延晶片的MCLT。根据实施方式的准备重启外延反应器的方法与现有方法相比以更快的速率去除滞留在处理室内的湿气和污染物，缩短了达到重启外延反应器的最小MCLT值所需的时间，由此也缩短了准备重启外延反应器的时间。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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