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远紫外区光源和远紫外区光源用靶

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200380110199.3
  • IPC分类号:H01L21/027;G03F7/20;G21K1/00
  • 申请日期:
    2003-12-26
  • 申请人:
    关西TLO株式会社
著录项信息
专利名称远紫外区光源和远紫外区光源用靶
申请号CN200380110199.3申请日期2003-12-26
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2006-04-12公开/公告号CN1759467
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/027IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;0;2;7;;;G;0;3;F;7;/;2;0;;;G;2;1;K;1;/;0;0查看分类表>
申请人关西TLO株式会社申请人地址
日本国京都府 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人关西TLO株式会社当前权利人关西TLO株式会社
发明人长井圭治;西村博明;乘松孝好;西原功修;宫永宪明;中塚正大;井泽靖和;山中龙彦;中山光男;重森启介;村上匡且;岛田义则;内田成明;古河裕之;砂石淳;瓦西利·扎克夫斯基;松井亮二;日比野隆宏;奥野智晴
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人李香兰
摘要
本发明构成为以提供可以通过高的发光效率来发出远紫外区光的远紫外区光源用靶为目的。这种目的如下这样来实现。使用由重金属或重金属化合物构成的为0.5%~80%的固体的靶。若激光照射该靶,则生成靶含有的重金属的等离子体,从该等离子体中放射对应于该重金属的种类的规定波长的远紫外区光。通过使靶的密度比如上所述结晶密度小,控制所生成的等离子体密度的空间分布,而可以使等离子体吸收激光的能量的区域和等离子体发出远紫外区光的区域一致。由此,可以抑制能量的损耗而使发光效率提高。例如,与使用Sn结晶的靶相比,使用了例如密度为结晶密度的24%的SnO2靶在波长13.5nm附近的发光效率高。

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