光掩模对位曝光方法及光掩模组件

发明专利无效专利

申请号：
CN200810001619.9
IPC分类号：G03F9/00;G03F7/20
申请日期：
2008-01-04
申请人：
奇美电子股份有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	光掩模对位曝光方法及光掩模组件
申请号	CN200810001619.9	申请日期	2008-01-04
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2009-07-08	公开/公告号	CN101477318
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G03F9/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕 G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备（照相排版装置入B41B；为摄影用的感光材料或处理入G03C；电记录、感光层或处理入G03G） G03F9/00 原版、蒙片、片框、照片、图纹表面的对准或定位，例如自动地（G03F 7/22优先；照相蒙片的制备入G03F 1/00；在复制用的照相印片设备中的入G03B 27/00）〔4〕	IPC分类号	G;0;3;F;9;/;0;0;;;G;0;3;F;7;/;2;0查看分类表>
申请人	奇美电子股份有限公司	申请人地址	中国台湾苗栗县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	奇美电子股份有限公司	当前权利人	奇美电子股份有限公司
发明人	黄正邦;萧智梅
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	张波

摘要

本发明公开了一种光掩模对位曝光方法及光掩模组件。该方法包含利用第一光掩模的第一图案区曝光基板的光致抗蚀剂层，以形成至少一第一曝光区；利用第二光掩模的第二图案区曝光光致抗蚀剂层，以形成第二曝光区；利用第二光掩模的第三图案区曝光光致抗蚀剂层，以形成第三曝光区。第一曝光区位于第二曝光区与第三曝光区之间。本发明还披露一种光掩模组件。本发明可提高光掩模对位准确度，并减少接合不均现象，亦可以提高工艺效率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供