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功率半导体器件

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010376381.9
  • IPC分类号:H01L23/49;H01L23/367
  • 申请日期:
    2020-05-06
  • 申请人:
    晏新海
著录项信息
专利名称功率半导体器件
申请号CN202010376381.9申请日期2020-05-06
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2020-08-14公开/公告号CN111540723A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L23/49IPC分类号H;0;1;L;2;3;/;4;9;;;H;0;1;L;2;3;/;3;6;7查看分类表>
申请人晏新海申请人地址
江苏省常州市钟楼区广成路13号16幢丙单元401室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人晏新海当前权利人晏新海
发明人晏新海
代理机构深圳市世纪恒程知识产权代理事务所代理人陈文斌
摘要
本发明公开一种功率半导体器件,该功率半导体器件包括:外壳,外壳上伸出设置有第一引脚、第二引脚和第三引脚;封装底板,封装底板与外壳一体设置;功率芯片,功率芯片具有正面和背面,功率芯片的正面贴设于封装底板上,功率芯片的正面具有连接第一引脚的第一电极和连接封装底板的第二电极,第二引脚连接封装底板,功率芯片的背面具有连接第三引脚的第三电极。本发明提升了功率半导体器件工作的可靠性。

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