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半导体器件及方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110049095.6
  • IPC分类号:H01L27/092;H01L21/8238
  • 申请日期:
    2021-01-14
  • 申请人:
    台湾积体电路制造股份有限公司
著录项信息
专利名称半导体器件及方法
申请号CN202110049095.6申请日期2021-01-14
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-09-17公开/公告号CN113410230A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/092IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;0;9;2;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;3;8查看分类表>
申请人台湾积体电路制造股份有限公司申请人地址
中国台湾新竹市 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人台湾积体电路制造股份有限公司当前权利人台湾积体电路制造股份有限公司
发明人黄玉莲;王冠人;傅劲逢
代理机构北京东方亿思知识产权代理有限责任公司代理人陈蒙
摘要
本公开涉及半导体器件及方法。在实施例中,一种器件,包括:第一源极/漏极区域;第二源极/漏极区域;层间电介质(ILD)层,在第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域之上;第一源极/漏极接触件,延伸穿过ILD层,第一源极/漏极接触件被连接到第一源极/漏极区域;第二源极/漏极接触件,延伸穿过ILD层,第二源极/漏极接触件被连接到第二源极/漏极区域;以及隔离特征,在第一源极/漏极接触件和第二源极/漏极接触件之间,该隔离特征包括电介质衬里和空隙,电介质衬里围绕空隙。

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