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荧光材料及其制备方法、光电子器件以及制造光电子器件的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201811332294.2
IPC分类号：C09K11/80H01L33/50
申请日期：
2018-09-17
申请人：
亿光电子工业股份有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	荧光材料及其制备方法、光电子器件以及制造光电子器件的方法
申请号	CN201811332294.2	申请日期	2018-09-17
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2019-06-28	公开/公告号	CN109943334A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C09K11/80 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C09 染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用 C09K 不包含在其他类目中的各种应用材料；不包含在其他类目中的材料的各种应用 C09K11/00 发光材料，例如电致发光材料、化学发光材料〔2〕 C09K11/08 含无机发光材料〔2〕 C09K11/77 含稀土金属〔4〕 C09K11/80 含铝或镓〔4〕	IPC分类号	C09K11/80;H01L33/50查看分类表>
申请人	亿光电子工业股份有限公司	申请人地址	中国台湾新北市树林区中华路6*** 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	亿光电子工业股份有限公司	当前权利人	亿光电子工业股份有限公司
发明人	韦拉马尼·拉金德伦;方牧怀;刘如熹;张合;吕侊懋;林晏申;康桀侑;盖伯瑞尔尼科洛·德·古斯曼;胡淑芬
代理机构	北京同立钧成知识产权代理有限公司	代理人	刘会景;臧建明

摘要

本发明提供一种荧光材料及其制备方法、光电子器件以及制造光电子器件的方法。该荧光材料具有如下的通式：La3Ga5(1‑x)Ge1‑yO14:5xCr3+,ySn4+，其中，0

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