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用于制造碳化硅半导体器件的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201180013622.2
IPC分类号：H01L29/12;H01L21/265;H01L21/336;H01L29/78
申请日期：
2011-11-15
申请人：
住友电气工业株式会社

基础信息

权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	用于制造碳化硅半导体器件的方法
申请号	CN201180013622.2	申请日期	2011-11-15
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2012-11-21	公开/公告号	CN102792446A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/12 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/02 按其半导体本体的特征区分的〔2〕 H01L29/12 按其构成材料的特征区分的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;1;2;;;H;0;1;L;2;1;/;2;6;5;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8查看分类表>
申请人	住友电气工业株式会社	申请人地址	日本大阪府大阪市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	住友电气工业株式会社	当前权利人	住友电气工业株式会社
发明人	大井直树;盐见弘
代理机构	中原信达知识产权代理有限责任公司	代理人	李兰;孙志湧

摘要

一种用于制造碳化硅半导体器件（100）的方法包括通过借助于采用包含氧气和从由CF4、C2F6、C3F8和SF6组成的组中选择的至少一种氟化合物气体的气体的蚀刻移除氧化硅膜（31）的一部分来形成氧化硅膜（31）的掩膜图案的步骤。

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