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基于双层RAID信息的增强型纠错方法及深度纠错方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110854546.3
  • IPC分类号:G06F11/10;G11C29/42
  • 申请日期:
    2021-07-28
  • 申请人:
    杭州阿姆科技有限公司
著录项信息
专利名称基于双层RAID信息的增强型纠错方法及深度纠错方法
申请号CN202110854546.3申请日期2021-07-28
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2021-08-27公开/公告号CN113312204A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G06F11/10IPC分类号G;0;6;F;1;1;/;1;0;;;G;1;1;C;2;9;/;4;2查看分类表>
申请人杭州阿姆科技有限公司申请人地址
浙江省杭州市滨江区六和路368号一幢(北)二楼B2200室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人杭州阿姆科技有限公司当前权利人杭州阿姆科技有限公司
发明人廖莎;王荣生;鲍慧强;沈海锋;董服洋
代理机构杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙)代理人张宇娟
摘要
本发明公开了一种基于双层RAID信息的增强型纠错方法及深度纠错方法,当闪存颗粒中出现ECC不可纠的错误数据时,增强型纠错方法包括:S1、确定不可纠数据A的地址,设数据A在横向RAID行和纵向RAID行中的位置分别位于X和Y’,1≤X≤N,1≤Y’≤M’,对应的数据分别记为DATAX和DATAY’;S2、分别计算经过横向RAID行恢复和纵向RAID行恢复得到的值DRAID和DRAID’;S3、对数据A进行重读,得到新的数据DATANew,并对DATANew进行异或和位与计算得到数据DATAANew;S4、对得到的一帧新的数据再进行解码。本发明提高了SSD纠错算法的纠错能力和NAND颗粒的寿命。

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