一种OSP基板的蚀刻清洗设备及方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201410853880.7
IPC分类号：H01L21/02;H01L21/311
申请日期：
2014-12-31
申请人：
南通富士通微电子股份有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种OSP基板的蚀刻清洗设备及方法
申请号	CN201410853880.7	申请日期	2014-12-31
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-05-06	公开/公告号	CN104599950A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;3;1;1查看分类表>
申请人	南通富士通微电子股份有限公司	申请人地址	江苏省南通市崇川路288号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	通富微电子股份有限公司	当前权利人	通富微电子股份有限公司
发明人	张伟;贺晓建
代理机构	深圳市威世博知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	何青瓦

摘要

本发明公开了一种OSP基板的蚀刻清洗方法。包括以下步骤。第一步骤：将H2SO4、H2O2溶剂、添加剂AGS2116/AGS2115混合化学药剂。化学药剂按比例混合添加于蚀刻清洗设备腔内；第二步骤：OSP基板通过蚀刻清洗设备轨道依次进入设备蚀刻喷淋室和清洗喷淋室；第三步骤：蚀刻喷淋室完成对OSP基板的蚀刻，清洗喷淋室完成对OSP基板的清洗；第四步骤：检查蚀刻效果，确认OSP层与氧化层是否从焊盘被蚀刻掉。本发明还提供了一种OSP基板的蚀刻清洗设备，本发明的化学药剂蚀刻效果好，蚀刻更均匀。通过蚀刻装置将硫酸、双氧水等化学药剂分开，用时根据现场生产情况和OSP基板的实际情况，随时控制配比，进而控制蚀刻值的大小，操作方便，效率高。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供